首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   18篇
  免费   0篇
  国内免费   5篇
丛书文集   1篇
综合类   22篇
  2013年   2篇
  2012年   2篇
  2010年   1篇
  2009年   2篇
  2007年   2篇
  2006年   2篇
  2005年   2篇
  2001年   4篇
  1999年   2篇
  1994年   1篇
  1988年   1篇
  1987年   1篇
  1986年   1篇
排序方式: 共有23条查询结果,搜索用时 15 毫秒
1.
在我国经济快速发展的影响下,建筑业已经成为国民经济的重要产业。当中规范建设行为,合理对建筑市场进行管理十分重要。在市场经济条件下,建设工程招投标是工程承包以及发包进行交易的重要方式,对我国建筑市场的秩序影响巨大,所以,对建设工程招标投标进行规范化管理有利于市场机制充分的发挥。  相似文献   
2.
何捷 《奇闻怪事》2005,(5):37-37
200个要求认读的生字;356个能正确书写的新词;32篇课文;八个语文园地:各种句式的训练,外加8篇独立阅读课文……刚接班一个学期的我,面对这些复习内容以及尚且幼稚的孩子们,真有点不知如何下手。偏偏这时,全校又进入语、数课各半天的“总攻”阶段,我不愿天真的孩子们用健康去换取一时的高分,一直在想着如何“走捷径”,让这死气沉沉的复习课沸腾起来。  相似文献   
3.
相位法测距中精粗测量数据衔接方法的讨论   总被引:1,自引:0,他引:1  
讨论了相位法光电测距中有关精、粗测量数据衔接方法的问题,给出了一种通用而可靠的精、粗测量数据衔接的新方法,并对两种数据衔接方法衔接所得结果给予了比较.  相似文献   
4.
一种具有温度补偿、高电源抑制比的带隙基准源   总被引:19,自引:0,他引:19  
介绍了一种用于集成电路内部的带隙基准源 ,采用了 3.3V ,0 .35 μm ,N阱 ,CMOS工艺 .通过Spectres和HSpice的仿真 ,它具有 6× 10 -6K-1的温度系数和 2 .2mV/V的电源抑制比 .  相似文献   
5.
6.
介绍一种全差分、低功耗CMOS运算跨导放大器(OTA)。这种放大器用于10位分辨率、30MHz采样频率的流水线式A/D转换器的采样-保持和级间减法-增益电路中。该放大器由一个折叠-级联OTA和一个共源输出增益级构成,并采用了改进的密勒补偿,以期达到最大的带宽和足够的相位裕度。经过精心设计,该放大器在0.35μmCOMS工艺中带宽为590MHz,开环增益为90dB,功耗为15mW,满足高速A/D转换器要求的所有性能指标。  相似文献   
7.
何捷 《奇闻怪事》2009,(7):92-94
从教近20年,几乎都在高年级转悠,我能明显感觉到越来越多的高年级孩子出现了身体和心理成长的脱节,性启蒙已经成了这个阶段无法绕开的教育问题。但由于长期的回避,导致性启蒙教育成了一个讳莫如深且有诸多误解的问题。其实,此类教育应该分为两部分,一部分是关于性知识的普及教育,如避孕、性病、艾滋病的预防等;另外一部分是性的人格教育,这也是心理健康教育中的重要一环。  相似文献   
8.
讨论了中短程相位式光电测距系统的有关系统测距频率设置和相关数据处理方法的问题,给出了扩展中短程光电测距仪测程的一种新方法.  相似文献   
9.
介电常数是电磁学中重要的物理量之一,但在目前的高等学校普通物理实验中,缺乏有关内容,为了弥补这方面的不足,我们研究了一种利用可调间距的精密平行板电容器与交流电桥,测量空气介电常数的方法,获得了较为满意的结果。  相似文献   
10.
镶嵌结构锗纳米晶电输运的研究   总被引:1,自引:1,他引:1  
利用离子注入然后退火的方法制备了镶嵌有锗纳米晶的二氧化硅复合薄膜,从拉曼散射和透射电镜测量了解到薄膜中镶嵌有5~7nm大小的锗纳米晶层.研究了锗纳米晶层在常温和低温下的电输运性质.结果表明:锗纳米晶在100K~300K温度范围内符合莫特变程跳跃电导(VRH)导电,100K以下的低温电导基本上是一常数,导电主要是电子在相邻纳米晶之间的直接跃迁;经退火可消除离子注入引入的缺陷,能增加薄膜的电导;对由3×1017cm-2注量锗离子注入制备的薄膜观察到半导体向金属导电的转变.  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号