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1.
一种具有温度补偿、高电源抑制比的带隙基准源   总被引：19，自引：0，他引：19  
介绍了一种用于集成电路内部的带隙基准源 ,采用了 3.3V ,0 .35 μm ,N阱 ,CMOS工艺 .通过Spectres和HSpice的仿真 ,它具有 6× 10 -6K-1的温度系数和 2 .2mV/V的电源抑制比 .  相似文献   
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