CaF2极性表面的马德隆势

应用Ｅｗａｌｄ方法计算了ＣａＦ２（１１１）、（１００）极性表面的马德隆势．结果表明马德隆势为了重现到体内值，表面区域的电荷将重新分布，从而导致部分格点的填充     

新型超导体材料MgB2的电子结构随压强的变化关系

根据密度泛函理论运用全势能线性muffin-tin轨道（FP－LMTO：full-potential linear-muffin-tin-orbital)方法计算了不同压强下MgB2晶格常数发生变化时的电子结构的变化情况，得出态密度的倒数与临界温度的自然对数成线性关系，符合BCS理论，从而进一步证实了MgB2的超导机制为电一声子耦合BCS机制。     

NaF中F心的从头计算

在G94基础上提出了一种团簇嵌入晶格技术,并对NaF中F心缺陷进行了研究。团簇中的电子和核都处于周围无限大晶格产生的库仑场中,相应的Hartree-Fock算符进行了修改,计算出的F心光学激发能与实验值符合得较好,说明了此种嵌入技术是切实可行的。     

MgB2薄膜的超导电性

采用平面波赝势方法计算了MgB2超导薄膜的电子结构.结果发现,表面层B(S)在费米能级处的态密度显著增强.在线性响应的密度泛函微扰理论框架下计算了MgB2薄膜的动力学性质及电-声子相互作用,分析了MgB2超导薄膜在Γ点的振动模的频率.结果发现,MgB2薄膜中的声子存在软化现象,并且声子的软化提高了电-声子相互作用,从而增强了薄膜的超导电性.     

新型超导体MGaSi(M=Ca,Sr,Ba)中声子的非谐性

应用冻结声子的方法研究新型超导材料三元镓硅化物MGaSi(M=Ca,Sr，Ba)中B1g软模在布里渊区中心厂点的特征，结果表明B1g软模具有很强的非谐性，且数值求解薛定谔方程的结果表明非谐性使声子的振动频率大大增强．     

Mn掺杂GaN(100)薄膜第一性原理的研究

采用第一性原理计算了Mn掺杂GaN非极性(100)薄膜的原子和电子结构.结果表明弛豫后表层Ga原子向体内移动,与Ga原子成键的表层N原子向体外移动,表层Ga-N键长收缩并扭转.通过对Mn原子掺杂在不同层总能量的比较,发现GaN(100)薄膜中Mn原子更容易在表层掺杂.弛豫后,掺杂在表层的Mn原子及与Mn原子成键的表层N原子都向体内发生很小的移动,Mn-N键没有发生明显扭转,但是弛豫后N原子向Mn原子靠近,Mn-N键收缩.Mn原子的掺杂使得Mn3d与N2p轨道杂化,产生自旋极化杂质带,自旋向上的能带占据费米面.掺杂后的薄膜表现为半金属性,适合于自旋注入.     

RGS中a－STE及原子解吸的机理研究

在单电子Ｈａｒｔｒｅｅ－Ｆｏｃｋ近似的基础上采用扩展离子方法研究ＲＧＳ中原子型的激子驰豫及所导致的激发态原子解吸机理．研究表明激子──晶格相互作用在解吸过任中起着重要作用．研究结果是位于表面的及表现下一层的原子型激子，可通过空腔解吸机理导致激发态Ｎｅ原子的解吸，却不可能导致激发态Ｋｒ原子的解吸，这与它们的体内ａ－ＳＴＥ周围能否形成空腔有关．此外，对解吸原子的发光研究结果与实验符合得较好．     

RGS中a—STE及原子解吸的机理研究

在单电子Ｈａｒｔｒｅｅ－Ｆｏｃｋ近似的基础上采用扩展离子方法研究ＲＧＳ中原子型的激子驰豫及所导致的激发态原子解吸机理。研究表明激子－晶格相互作用在解吸过程中起着重要作用。研究结果是位于表面的及表现下一层的原子型激子，可通过空腔解吸机理导致激发态Ｎｅ原子的解吸，却不可能导致激发态Ｋｒ原子的解吸，这与它们的体内ａ－ＳＴＥ周围能否形成空腔有关。