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提出了一种新的基于前向通路结构的高电源抑制比（PSRR）的低压差线性稳压器（LDO）结构,具有全负载范围内PSRR高、通路对系统稳定性影响小、电流效率高等特点.采用chart 0.35μm 5 V CMOS工艺进行电路设计仿真.后仿真结果表明,全负载范围内最差线性调整率为633μV/V.1 kHz处PSRR为76 dB... 相似文献
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