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文章采用隧穿电离半经典系综模型,研究了椭圆偏振强激光场中库仑散射对原子电离的影响。结果发现,库仑散射按能量可以分为低能散射和高能散射两种。低能散射对电子电离角分布不对称性有加强作用,原子电离能越小,这种加强作用越大,而高能散射对原子电离角分布不对称性影响很小。但是,高能散射造成了椭圆偏振光辐射下电子能谱中的平台结构,而低能散射对此平台结构的形成没有作用。另外,高能散射电子的动量分布与电子的初始隧穿位置密切相关。本论文的研究进一步揭示了电子在椭圆偏振场的再散射过程,这对于碰撞物理学发展和阿秒钟等高端测量仪器的研制都有非常重要的意义。 相似文献
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利用三维半经典系综模拟方法,研究了原子在椭圆偏振场中的残存问题.结果发现,对于电离能比较大的原子(如氦原子),残存原子是由于电子的初始横向速度与漂移速度相互抵消造成的,对于电离能比较小的原子(如镁原子),核的库仑吸引对原子的残存起主要作用.我们提出残存窗口理论来反映库仑作用,从该理论所得中性原子产率分布比强场近似模型更接近三维半经典数值模拟结果.另外,电离能小的原子残存率随椭偏率分布对激光强度大小比较敏感,可以利用这一特性来标定超强场激光的强度. 相似文献
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