Si/SiN_x多层膜能带结构的理论研究

利用Kronig-Penney模型计算了Si/SiNx多层膜结构中Si亚层的能带结构.结果表明,无论是减少Si或Si/SiNx亚层的厚度都将导致Si层的带隙发生宽化,计算结果与实验值符合较好.进而还发现,当Si层厚度减小时,Si/SiNx多层膜结构中载流子(电子和空穴)的有效质量均减小,有利于对载流子复合发光的控制.计算结果对实验上研究发光可控的Si/SiNx多层膜结构有重要指导意义.     

低压电场对污泥分离短程化的最佳条件

研究了电场处理污泥分离短程化.通过实验考察了污泥沉降效果受污泥浓度MLSS、电极入水深度L和电压U等因素的影响.由正交实验确定了污泥沉降效率的最佳条件.结果表明,MLSS=3.7g/L、L=15cm、U=53V时,所得到的污泥沉降效果较好,沉降效率η=46.2%,促沉效果随MLSS的增大而变差,L为量筒液面总高度50%左右时促沉效果较好,浓度不同对应的最佳沉降时的电压也不同.经过电场处理后的出水水质比未经处理的要好,且活菌数量较未处理时要多一些.     

Si/SiO2和Si/SiNx /SiO2超晶格的能带结构

利用Kronig-Penney模型从理论上计算了Si/SiO₂和Si/SiN_x/SiO₂多层膜结构中量子阱的能带结构, 进一步分析了各亚层薄膜厚度对能带结构和有效质量的影响.结果发现, 适当减少亚层的厚度都能使得纳米Si薄膜的带隙发生明显宽化. 在Si/SiO₂超晶格中, Si量子阱层带隙能量随着Si层厚度的变化符合E_PL(eV)=1.6+0.7/d²关系, 与我们的计算结果十分吻合. 在Si/SiN_x/SiO₂超晶格系统中, 可以通过控制各亚层厚度, 尤其是Si和SiN_x层厚度, 均能够有效地控制发光.     

Si/SiO_2和Si/SiN_x/SiO_2超晶格的能带结构

利用Kronig-Penney模型从理论上计算了Si/SiO2和Si/SiNx/SiO2多层膜结构中量子阱的能带结构,进一步分析了各亚层薄膜厚度对能带结构和有效质量的影响.结果发现,适当减少亚层的厚度都能使得纳米Si薄膜的带隙发生明显宽化.在Si/SiO2超晶格中,Si量子阱层带隙能量随着Si层厚度的变化符合EPL(eV)=1.6+0.7/d2关系,与我们的计算结果十分吻合.在Si/SiNx/SiO2超晶格系统中,可以通过控制各亚层厚度,尤其是Si和SiNx层厚度,均能够有效地控制发光.     

近距空中支援作战对武器弹药的需求研究

近距空中支援作战在现代战争中的地位日益凸显，是各军种联合作战的基本战术。武器弹药是近距空中支援作战实施毁伤目标的核心环节。近距空中支援的实施对改变地面作战的战场态势具有重要作用。针对历次战争的作战效果及经验教训，分析了近距空中支援作战对武器弹药的应用情况，针对现代近距空中支援作战的需求，描述了武器弹药精确制导、低附带毁伤、智能协同打击的发展趋势，总结了武器弹药对近距空中支援作战的作用，为未来近距空中支援作战对武器弹药的选择提供了依据。