镁铝尖晶石本征色心的计算机模拟

利用计算机模拟技术和经验参数化方法,通过对镁铝尖晶石(MgAl2O4)晶体结构、晶格形成能及本征缺陷形成能的计算,论证了镁空位VMg^2-、氧空位Vo^2 和少量的AlMg^ 是MgAl2O4中的本征点缺陷．并指出其会以[VMg^2--Vo^2 ]空位对和[VMg^2--2lMg^ ]的形式实现电荷补偿．     

掺K钨酸铅晶体的计算机模拟

应用计算机模拟方法计算分析了掺杂K离子的PbWO4晶体，在不同杂质离子浓度下，K离子的位置及伴随的各种可能存在的缺陷的生成能，明确了晶体掺杂后的缺陷化学及相应的缺陷反应，揭示了低浓度掺K^ ：PbWO4的350nm吸收带减弱的原因．计算结果表明，高浓度掺K离子将消除420nm吸收带，改善PbWO4晶体的抗辐照损伤性能．     

用X射线研究由PI膜制备石墨化碳微晶的结构特性

用X射线衍射技术对固相炭化过的PI(聚酰亚胺)膜的石墨化碳微晶的结构特征进行了考察.结果表明,该薄膜的石墨化始于热处理温度2 100℃左右;在2825℃及其以上温度热处理过的薄膜样品的微晶碳层具有很好的取向,并呈现出明显的多相石墨化现象,获得了该试样的镶嵌结构信息;对于3 160℃热处理过的薄膜样品来说,其层间距和镶嵌度分别为0.335 45nm和5.4°. 同时,就其石墨化度稍有不同的两种结晶相的来源进行了一些推理性的讨论,这对更全面地了解该类石墨化产物的结构提供了新的科学知识.     

X射线衍射仪粉末法测定硅点阵常数的精确度和准确度

以普通粉末衍射仪用单边法并峰值定位法（不借助内标）测定高纯硅粉的点阵常数，目的是提高测定的精确度和准确度。考虑了各种误差。对焦点偏移误差进行了分析、确定了准直的要求并以实验方法消除了此误差。用实验方法测定了衍射峰位的垂直发散几何偏差从而解决了此误差的校正问题。对峰值法的Ｌｏｒｅｎｔｚ等物理偏差进行了以实验数据为根据的校核。多次点阵常数测定值的标准误差仅为百万分之三，达到了高精确度。用不同靶的特征谱线对这一结果进行了验证，结果良好。因解决了上述误差的校正问题，准确度也达到相应水平，因而解决了单晶法与多晶法测定硅点阵常数不符的问题。分析及实验数据说明用普通衍射仪并单边峰值定位法测定结晶良好的高对称晶系样品的点阵常数，其精确度和准确度可达百万分之四。     

掺氟钨酸铅晶体的电子结构研究

用密度泛函的方法计算了掺氟钨酸铅晶体(F^-：PbWO4)的电子结构．结果表明，杂质F^-离子的掺入使得部分O的2p态和W的5d态分裂并进入到禁带中，使得禁带宽度变窄．F的2p态距离价带顶6．0eV左右，因而不会影响晶体的蓝发光．F^-离子替位氧离子O^2-可以部分地补偿由于铅空位VPb所造成的局域电荷失衡，阻止铅空位VPb抓住空穴形成复合色心．因此，可以减弱420nm吸收带，有效地增加光产额．     

小角X光衍射研究HPAP液晶的有序近晶相结构

本文应用小角Ｘ光衍射（位敏探测器法）研究了ＨＰＡＰ液晶所呈现的两种有序近晶相ＳｍＥ和ＳｍＢ结构。测量了近晶相的层厚及其与温度的关系。结论表明．ＨＰＡＰ液晶分子在ＳｍＥ相的层内是倾斜排列的，属于Ｐｇ空间群对称，倾斜角随着温度增加而减小；而在ＳｍＢ相的层内分子是垂直排列的，属于Ｐ６ｍ空间对称群，也因此测量了ＨＰＡＰ分子的长度为３３．６Ａ。在ＳｍＥＳｍＢ相交点附近层厚变化很大。