一种新型La掺杂PbO_2电极用于X-GRL降解的研究

为提高PbO_2电极对阳离子红X-GRL的去除效果,利用热分解电沉积法制备稀土La掺杂PbO_2电极(Ti/SnO_2-Sb_2O_3/PTFE-La-β-PbO_2,简写Ti/La-PbO_2).之后,根据电极对X-GRL及其TOC的去除效果,确定La的最佳掺杂比为Pb∶La=200mol∶2mol.通过对电流密度、电解质浓度和X-GRL的初始质量浓度等不同的参数条件优化,确定最佳降解条件为电流密度50mA/cm~2,电解质(Na_2SO_4)浓度0.10mol/L,X-GRL初始质量浓度100mg/L.在此条件下降解2h后,X-GRL及其TOC的去除率分别达到93.48%和52.07%.同时,采用扫描式电子显微镜(SEM)对电极表面进行分析,结果显示La掺杂PbO_2电极表面具有致密的结构和较好的结晶取向,有利于提高电极的催化活性并最终提高X-GRL的矿化程度.最后,利用了循环伏安法(CVs)验证了La掺杂PbO_2电极具有较高的析氧电位和电化学活性.     

基于外源硅处理下刺柏对重金属镉污染土壤的修复治理研究

以常绿乔木刺柏(Juniperus formosana Hayata)为实验材料,通过室内盆栽试验,对叶面积、株高、鲜质量、干质量、MDA含量、抗氧化酶活性及植物组织重金属镉(Cd)含量等一系列指标的测定,研究柏树对重金属Cd污染土壤的快速修复机制,并分析外源硅(Si)素(400、1 000mg·kg~(-1))对柏树耐性机制的影响.结果表明,刺柏根际土壤中Cd形态以可交换态为主,400mg·kg~(-1)Si处理下,刺柏根际交换态Cd含量显著降低.与对照相比,200mg·kg~(-1) Cd处理90d抑制了刺柏生长发育,400mg·kg~(-1) Si处理显著缓解了Cd对柏树生长的抑制,并降低了茎、叶部的Cd含量,而1 000mg·kg~(-1) Si处理加重了Cd的毒害作用.研究表明适当浓度的外源Si可以提高刺柏Cd耐性的机制,并为高(中)浓度Cd污染土壤的快速修复治理提供理论依据.