垂直氮化镓功率晶体管及其集成电路的发展状况

氮化镓作为第三代宽禁带半导体材料的代表之一,因其优越的性能,例如高电子迁移率、高电子饱和速率、耐高温及高热导率等优点吸引了越来越多的关注.也正是因为这些优点,垂直氮化镓功率晶体管在未来的电力电子领域中具有很大的发展和广泛的应用前景.本文列出了氮化镓材料和其他半导体材料主要的物理参数、氮化镓单晶制备及其外延生长的主要方法,阐述了氮化镓功率器件在目前环境下的优势.针对器件结构,列出了横向器件本身存在的问题和垂直器件的优点,解释了垂直器件为何能够成为未来功率器件的主流结构.在此基础上,详细介绍了氮化镓电流孔径垂直晶体管、垂直氮化镓沟槽金属氧化物半导体场效应晶体管、基于原位氧化物氮化镓夹层的垂直沟槽金属氧化物半导体场效应晶体管和垂直氮化镓鳍式场效应晶体管的结构、工作原理、研究进展及所存在的一些问题,并将文中所提及的垂直氮化镓功率晶体管的性能参数按器件种类和时间顺序进行归纳为未来氮化镓功率晶体管的发展提出了大致的方向.针对集成电路系统,归纳了氮化镓功率器件在驱动芯片方面的特殊要求和关键技术.最后,针对当下的市场环境,列举了垂直氮化镓功率晶体管在中、低压范围内比较热门且发展前景较好的应用场景.     

构筑“1＋7”公共服务平台激发LED产业协同创新活力--对话广东省半导体照明产业联合创新中心主任眭世荣

2011年，中国“十二五”规划正式启动，以LED为主的低碳环保产业，成为国家进行经济结构转型升级的一枚重要棋子，国家发改委、科技部及各级地方政府都大力发展LED产业。作为产业大省的广东审时度势，将LED产业作为广东发展战略性新兴产业的三大突破口之一，在规划布局、资金投入、技术攻关、推广应用等方面进行了一系列部署，推动LED产业规模迅速壮大，不仅成为全省战略性新兴产业发展名副其实的排头兵，也成为我国LED产业的领跑者。