排序方式: 共有3条查询结果,搜索用时 6 毫秒
1
1.
模拟了氧化物多晶材料中晶粒和晶界的介电响应,分析了电阻和电容与阻抗谱之间的关系,利用阻抗谱斜率的关系来验证拟合数据的正确性.用高温固相反应法制备了钙钛矿氧化物材料HoMnO3,利用复阻抗分析谱分析了该材料在650 Hz~1 MHz频率范围内的介电响应,结果表明:制备的氧化物材料是由晶粒和晶界组成的多晶材料,并且高频部分反映HoMnO3材料晶粒行为;低频部分反映HoMnO3材料的晶界行为.通过数据拟合可以得到其晶粒和晶界的电阻分别约为105Ω和106Ω;晶粒和晶界的电容均约为10-9F. 相似文献
2.
3.
通过脉冲激光沉积技术在掺杂1.0%Nb的SrTiO3单晶基底上制备了单一c轴取向的正交HoMnO3薄膜,测量了变温条件下全氧化物异质结HoMnO3/ Nb-SrTiO3的伏安曲线,结果显示出二极管的整流特征,并且正向电流可以用热电子发射模型解释.但是随着温度的降低,在HoMnO3/ Nb-SrTiO3异质结中出现反向偏压电流异常增加的现象.本文用异质结界面上的隧穿效应解释了这个结果. 相似文献
1