亚硝胺β-位代谢物与DNA碱基作用机理的从头计算研究

用从头计算方法在RHE/6-31G(d)和MP2/6-3lG(d)水平上对甲基乙基亚硝胺代谢产生的β-位硫酸酯按照是否经过邻基参与作用与DNA碱基发生烷基化反应的不同假设机理进行了研究.对所有反应物、产物、中间体和过渡态进行了全几何构型优化,得出反应活化能和内禀反应坐标等参数.结果表明,邻基参与作用有力地促进了β-位硫酸酯化烷基亚硝胺与DNA碱基的烷化反应.在相同水平上用Onsager溶剂效应模型反应场进行了计算,表明在极性溶剂中邻基参与反应的活化能明显降低.     

SOC快速内存检查点的研究与实现

随着系统芯片SOC设计技术的普遍应用,对应的可靠性问题逐渐成为关注的焦点.提出一种应用在SOC设计上的内存检查点技术,通过硬件逻辑将内存中的数据备份到非易失存储介质中,系统恢复时将数据从存储介质取出,重新拷贝到内存,避免内存中的数据丢失;同时给出外部存储器到RAM的程序代码拷贝设计,显著提高了内存检查点保存的速度.在断电等突发情况下,可以有效地保护内存中的数据,具有很好的通用性,占用资源较少,可以广泛应用于实时系统的容错机制中.     

亚硝胺β-位代谢物与DNA碱基作用机理的

用从头计算方法在RHF/6-31G(d)和MP2/6-31G(d)水平上对甲基乙基亚硝胺代谢产生的β-位硫酸酯按照是否经过邻基参与作用与DNA碱基发生烷基化反应的不同假设机理进行了研究. 对所有反应物、产物、中间体和过渡态进行了全几何构型优化, 得出反应活化能和内禀反应坐标等参数. 结果表明, 邻基参与作用有力地促进了β-位硫酸酯化烷基亚硝胺与DNA碱基的烷化反应. 在相同水平上用Onsager溶剂效应模型反应场进行了计算, 表明在极性溶剂中邻基参与反应的活化能明显降低.     

高密度电法进行冻害勘测可行性探讨、机理与防治对策

本文以乌精二线冻害为研究对象,通过讨论冻害的电性特征:冻害表现区多以低阻闭合圈的形式存在,其电阻率一般小于20Ω-Μ,局部小于5Ω-Μ,对高密度电法在冻害勘测中的应用进行可行性研究:通过电阻率变化可以判断路基的相对变形程度以及软弱层的位置、含水程度等,从而确定路基灾害的周界和发育程度。并通过实例探讨了解释方法、形成机理:引起冻害的因素主要为土质、冰冻温度及水分的迁移、水源等。最后提出了冻害的防治对策:疏干排水孔、石灰挤密桩、防渗墙、排水沟、不良土质换填、路基施工与养护。