多量子阱结构GaN光致发光谱温度变化特性研究

【目的】研究金属有机物气相外延制备的多量子阱结构GaN材料的变温光致发光谱,探讨多量子阱结构GaN的发光机制。【方法】对样品进行变温光致发光谱测试,从发光强度和发光峰位两个角度研究样品的发光机制。【结果】在10～300K温度范围内光致发光谱共有4个发光峰,温度为10K时观察到的发光峰峰值波长分别位于355,369和532nm,100K时出现峰值波长为361nm的新发光峰。【结论】分析认为位于355,361,369和532nm的多峰发光结构分别与激发光源、激子发光、带边发光、量子阱发光和黄带发光相关。361nm附近带边发光光子能量与温度的变化规律与Vanshni经验公式吻合,369nm附近量子阱发光峰峰位随温度变化呈"S"型。     

工程机械远程监控BS-PLOT混合数据压缩

针对工程机械远程监控系统中状态信息的特点,提出了基于后向斜率(BS)法和分段线性在线趋势(PLOT)的混合数据压缩算法.在最大时间间隔内,采用BS方法判断数据的稳定性,然后利用PLOT方法分段压缩波动数据.在充分考虑了数据的时间属性和噪声环境下进行了野点数据的检测与剔除.实例应用表明,该算法提高了数据压缩率和传输速度,并具有较好的抗干扰性.     

纳米压印技术制备Si基GaN纳米柱图形化衬底

采用纳米压印和反应离子刻蚀技术,通过实验研究反应离子刻蚀时间与GaN纳米柱高度的相关性,成功地在Si基GaN衬底上制备出了GaN纳米柱图形化衬底。SEM表征分析发现在图形化衬底上所制备的GaN纳米柱形貌均匀、排列整齐;室温光致发光光谱分析发现GaN纳米柱图形化衬底与GaN材料相比带边发光峰出现2.1nm的红移,发光强度增强。研究结果表明GaN纳米柱内应力得到释放且具有光子晶体的作用。
     

改进遗传算法在齿轮减速器优化中的应用

以一个标准齿轮减速器体积（中心距）最小为优化目标的优化模型,描述一种改进遗传算法的实现,并将之应用于两级圆柱齿轮传动的优化设计。其优化结果与单纯形的比较表明,遗传算法更能脱离局部解而取得更优解,在工程设计中具有一定的应用价值。     

沉积温度对PECVD 法制备SiNx 薄膜光致发光峰的影响

SiNx薄膜已经被广泛地应用于晶体硅太阳能电池表面作为减反和钝化膜,所以对SiNx薄膜的光学性质研究很有必要。本文采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术,在p型单晶硅(111)衬底上成功地制备了不同温度条件下的SiNx薄膜。室温下,在352 nm光源激发下,每个样品有2个发光位置,所有样品总共观测到了4处不同的发光峰位:390、471、545、570 nm,并且发现温度对390 nm处的发光峰位置无影响。由于杂质的引入在带间形成了局域化的缺陷能级,缺陷态能级和导带以及价带之间的跃迁是其主要的跃迁机制。因此,可以通过控制薄膜的生长条件来控制各个缺陷态密度,从而可以实现氮化硅薄膜在可见光范围内的可控发光。     

晶体硅太阳电池热电集成组件的集热特性

【目的】考查2013—2015年重庆市山洪灾害详查点的合理性,以便进一步指导后期的补充调查工作。【方法】利用Arc GS10.0I空间分析与数据统计工具,基于地貌、海拔、坡度、河网密度、降雨量等因子,分析重庆市详查点和灾害点空间分布,研究不同影响因素下详查点和灾害点的分布差异,探讨山洪灾害详查点分布的合理性。【结果】结合目前重庆市山洪灾害防治分区特点,分析重庆市山洪灾害调查工作薄弱区,经研究得出以下结论:1)详查点与灾害点空间分布总体一致,但在部分山洪灾害高发区详查点数量不足。从不同区域分布来看,山洪灾害密度较高的渝东南部地区详查点密度最低;从不同影响因素来看,某些条件下区域详查点密度偏低,如人口分布集中的73~252 m 高程区、5°~15°坡度区、1200~1300mm 降雨区及1.6~4.7km·km-2河网密度区。2)重庆市山洪灾害详查点分布符合防治分区情况,然而对于一级重点防治区的山洪灾害详查工作略显不足。3)根据山洪灾害易发区与详查薄弱区分布条件,统计得出重庆市境内未来需详查范围达4.58×104km2;考虑到一级重点山洪灾害防治区,这一范围面积为1.96×104km2,其中渝东北地区需要详查的面积最大,渝东南地区、渝西部地区及渝中部地区需要详查的面积则依次减少。【结论】2013—2015年重庆市山洪灾害详查点总体符合山洪灾害发育规律,但部分灾害高发区详查点不足,在未来山洪灾害补充调查评价工作中,应加强详查点薄弱区的调查工作。
     

基于反射光谱的InxGa1-xN半导体薄膜厚度测量

氮化镓薄膜是制造蓝紫光光电子器件的理想半导体材料之一。三元合金InGaN薄膜是优良的全光谱材料而且不同In组分的InGaN薄膜叠层可用于研制高效率薄膜太阳电池。精确测量InGaN薄膜的厚度有利于研制高效率的光伏器件。本文利用分光光度计实验研究了蓝宝石衬底金属有机物化学气相沉积（MOCVD）技术生长的铟镓氮（InGaN）半导体薄膜的反射光谱。基于薄膜干涉原理,计算分析了InxGa1-xN薄膜的厚度;结果发现利用反射光谱中不同波峰、波谷确定的薄膜厚度相对偏差度的平均值为4．42％。结果表明用反射光谱的方法测量InxGa1-xN薄膜的厚度是可行的。     

基于反射光谱的InxGa1-xN半导体薄膜厚度测量

氮化镓薄膜是制造蓝紫光光电子器件的理想半导体材料之一。三元合金InGaN薄膜是优良的全光谱材料而且不同In组分的InGaN薄膜叠层可用于研制高效率薄膜太阳电池。精确测量InGaN薄膜的厚度有利于研制高效率的光伏器件。本文利用分光光度计实验研究了蓝宝石衬底金属有机物化学气相沉积（MOCVD）技术生长的铟镓氮（InGaN）半导体薄膜的反射光谱。基于薄膜干涉原理,计算分析了InxGa1-xN薄膜的厚度;结果发现利用反射光谱中不同波峰、波谷确定的薄膜厚度相对偏差度的平均值为4．42％。结果表明用反射光谱的方法测量InxGa1-xN薄膜的厚度是可行的。     

多量子阱结构GaN光致发光谱温度变化特性研究

【目的】研究金属有机物气相外延制备的多量子阱结构 Ga N 材料的变温光致发光谱,探讨多量子阱结构 Ga N 的发光机制。【方法】对样品 进 行 变 温 光 致 发 光 谱 测 试,从 发 光 强 度 和 发 光 峰 位 两 个 角 度 研 究 样 品 的 发 光 机 制。【结 果】在10~300K温度范围内光致发光谱共有4个发光峰,温度为10K 时观察到的发光峰峰值波长分别位于355,369和532nm,100K 时出现峰值波长为361nm 的新发光峰。【结论】分析认为位于355,361,369和532nm 的多峰发光结构分别与激发光源、激子发光、带边发光、量子阱发光和黄带发光相关。361nm 附近带边发光光子能量与温度的变化规律与 Van-shni经验公式吻合,369nm 附近量子阱发光峰峰位随温度变化呈“S”型。
     

新型冲量式谷物联合收割机智能测产系统

作物产量分布信息是精准农业的关键基础数据.以数字型冲量式谷物质量流量传感器为核心部件,应用CAN总线架构设计了联合收割机测产系统.设计了双平行梁结构的冲量式谷物质量流量传感器,其中第一根平行梁上的拦截指直接受谷物籽粒流冲击;第二根平行梁则只用于检测收割机振动以及地形变化引起机器倾斜等干扰,不与谷物籽粒流接触.采用最小二乘法求取自适应对消因子,利用第二根平行梁输出作为参考信号进行自适应干扰对消,有效地消除了第一根测量平行梁中各种干扰引起的输出.大田初步实验结果表明,最大相对测产误差小于4%.