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为了解决传统台面型共振隧穿二极管制作过程中横向钻蚀问题,提出了一种采用离子注入法在N^+GaAs衬底上制作平面型共振隧穿二极管,通过离子注入对器件之间进行隔离,取代了台面制作工艺中的通过湿法腐蚀隔离器件的目的.研究了它的I-V特性,测得的峰谷电流比为3.4.研究了由平面型共振隧穿二极管构成的单双稳态逻辑单元,实现了作为反相器的功能. 相似文献
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