水热法制备片层酥状结构氢氧化铟粉体及其表征

采用水热法添加十二烷基硫酸钠（SDS）成功制备了体心立方In（OH）3片层酥状粉体。用X射线衍射（XRD）、场发射扫描电子显微镜（FESEM）对产物进行了表征,研究了SDS对In（OH）3尺寸和形貌的影响,并探讨了In（OH）3晶体生长机理。结果表明：在低浓度SDS下得到了分散性较好的千层酥囊状In（OH）3粉体,在高浓度SDS下得到分散性较好的片状In（OH）3粉体。平面状的In3＋聚集体超过临界值形成晶核,晶核沿着[100]晶体学方向长大,In（OH）3晶体按二维层状生长最终形成In（OH）3薄片。     

羟基氧化镓菱形截面棒状粉体的制备与表征

用GaCl3溶液和NH3.H2O反应成功制备了羟基氧化镓（GaOOH）菱形截面棒状粉体。用X射线衍射（XRD）、场发射扫描电子显微镜（FESEM）对产物进行了表征,并探讨了GaOOH晶体的生长机理。结果表明：GaOOH粉体表现为分散性较好的短棒状,长度分布在2~4μm,绝大多数粉体的长径比为4左右;菱形截面是由{110}晶面族的（110）、（1-1 0）、（-1 1 0）以及（-1-1 0）四个等效晶面分别沿着[-4 1 0]、[-4-1 0]、[410]和[4-1 0]晶体学方向均匀长大而成。