同心导体双筒终端边缘效应的高阻环补偿原理

论述有限长同心导体双筒终端边缘效应的高阻环补偿原理，并指出高阻环膜厚均匀性是获得有效补偿的关键因素。     

自磁场发射冲量计算

建立自磁场发射零级近似模型，给出发射体冲量计算公式。     

尖端效应的一种近似描述

以旋转抛物面模拟尖端，给出导体尖端效应的一种近似描述即电荷面密度σ与高斯曲率Ｋ的关系σ＝σο根号ｍＫ１／４，σο是尖端顶点σ的值，可通过测出该点法向线程Δｎ的电势差ΔＶ获得，σο＝εＥ≈２εＨοΔＶ／〔ｅｘｐ（－２ＨοΔｎ）－１〕．σ分布的这一关系为其工程测量提供了依据。