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利用磁性薄膜的Hall电压V和Faraday旋光角度a与垂直于膜面的磁化强度成正此的事实,可以观測磁膜沿垂直于膜面的技术磁化过程(以下簡称磁化过程). 已有的实驗結果都表明,这个磁化过程具有可逆的一致轉动过程的特征,因此,一般認为,它是可逆的一致轉动过程. 相似文献
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采用矩形开口波导作为传感器 ,建立对成像样品板进行自动扫描控制和数据采集的微波成像装置 .采用计算机数字图像处理技术将采集到的数据进行二维处理 ,大大提高了分辨率 相似文献
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介绍了一种自检式微波边缘振荡EPR谱仪,利用它既可作微波源又可作检波器(自检),用于电子顺磁共振(EPR)具有很高的灵敏度(≤10~(13)自旋/DPPH)。 相似文献
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提出和建立了磁场建像中的理论模型和数学处理方法，通过该模型和方法获得了磁通密度重建函数及其图像。 相似文献
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从能够产生表面增强拉曼散射 (SERS)效应的典型金属银出发 ,讨论其在光频段的介电函数及与此介电函数相关的表面等离子体共振现象 ,进而用表面等离子体共振理论讨论SERS效应的电磁增强机理 . 相似文献
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用惯用的不同方法测量了较薄 Ni 膜的居里点,得到了下列结果:1.用转矩法测得的“居里点”θ_L 随测量磁场增加而提高,但除一小段中间区域外,在高磁场(数千 Oe 以上)和低磁场(数百 Oe 以下),θ_L 基本上不随磁场而变。2.θ_(L∞)≈θ_p=θ_k,其中θ_(L∞)表示,在强磁场中测得的θ_L 值,也就是居里点;θ_p 和θ_k 分别表示铁磁性引起的附加负电阻ΔR和电阻在强磁场中的各向异性消失的温度。θ_(L∞)随膜厚度减少而降低。3.磁膜具有明显地不同于居里点的第二个磁性特征温度 T_0,它等于■其中和θ_R和θ_s分别为电阻和.Hall电压随温度T的变化奉与T的关系中出现的峰所对应的温度;θ_m为磁电阻效应与温度的关采中出现的峰听对应的温度;e二为强磁塌中,Hall电压随磁埸的变化率与温度的关系中出现的峰所对应的温度:θ_L0为在弱磁锡中侧得的θ_L值.T_0低于居里点.T_0和θ_L∞----T_0分别随膜厚度减少而降低和提除上述关于居里点和T_0的桔果以外,还得到了下面的桔果:1.△R(T)=CR_11----1(T),其中与R_11----1是平行于膜面的强磁踢平行和垂A于通过膜的电流方向时的电阴值之差;C是常数。C=40-100 (500-50A)。2.退磁伏态NI膜的磁化分布值到200-300~0C(相似文献
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介绍磁场ＣＴ成像的高速数据采集方法。通过对一对ＮｄＦｅＢ小圆柱磁体任一断面上磁场的测量与成像，说明此方法采集速度快，质量好。 相似文献
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报导了电子顺磁共振成像的微波局域场方法，在改进的自制小型顺磁共振谱仪上，给出了测试样品ＤＰＰＨ的二维电子自旋密度分布图像，使用退卷积算法和反向滤波图像处理技术，提高了分辨率。 相似文献