智能家居网络的串口通讯实现方案

目的 提出一种智能家庭网关与信息家电之间的串口通讯方案，设计一套基于RS-232的串口通讯协议。方法针对嵌入式系统在智能家居系统中的应用特点，参考电子控制领域通用的Modbus协议，并用C语言编制相应的串口通讯软件。结果建立了基于RS-232的串口通讯模型，实现了智能家庭网关与模拟节点之间的相互通讯。结论该智能家居网络的串口通讯方案是完全可行的。     

ZnO薄膜的正交实验设计及其分析

采用溶胶-凝胶工艺在Si(111)衬底上制备了ZnO薄膜,考虑影响晶体质量的4个因素,应用正交实验法进行了工艺优化;利用X射线衍射仪对薄膜的晶体结构进行了分析讨论.结果表明,当陈化温度50℃、预处理温度200℃、退火温度650℃和Zn2+浓度0.35 mol/L时,ZnO薄膜的C轴择优取向度最高.     

Mg掺杂ZnO薄膜的晶体结构分析

采用溶胶-凝胶工艺在Si(111)衬底上制备了MgxZn1-xO薄膜,利用X射线衍射仪对薄膜的晶体结构进行了分析讨论.结果表明,当掺杂量Mg2+浓度增大时,衍射峰向大角度方向移动;但MgxZn1-xO薄膜仍然是具有(002)择优取向的六方纤锌矿结构.     

先进的通信计算机架构ATCA及应用研究

先进的通信计算机架构ATCA一直以来都被看作未来的电信架构标准。简单介绍了ATCA架构的基本体系和采用开放架构平台的优点，讨论了开放架构平台的互操作性以及该架构的应用范围和在业界的应用情况，提出基于开放平台的平台策略。     

带有p型岛的超低导通电阻绝缘体上硅器件新结构

为了减小绝缘体上硅(SOI)器件的比导通电阻,提高器件的击穿电压,提出一种带有p型岛的SOI器件新结构.该结构的特征如下:首先,漂移区周围采用U型栅结构,在开启状态下,U型栅侧壁形成高密度电子积累层,提供了一个从源极到漏极低电阻电流路径,实现了超低比导通电阻;其次,在漂移区引入的氧化槽折叠了漂移区长度,大大提高了击穿电压;最后,在氧化槽中引入一个p型岛,该高掺杂p型岛使漂移区电场得到重新分配,提高了击穿电压,且p型岛的加入增大了漂移区浓度,使器件比导通电阻进一步降低.结果表明:在最高优值条件下,器件尺寸相同时,相比传统SOI结构,新结构的击穿电压提高了140%,比导通电阻降低了51.9%.