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引入了D4-δ-盖的概念,即称(F,g)为模M的D4-δ-盖,若F是D4-模,g是F到M的满同态,且Ker(g)《δF.研究了D4-δ-盖的性质以及它与投射δ-盖之间的联系,并用D4-δ-盖刻画了δ-完备环(半完备环,半正则环). 相似文献
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目的 研制快速、简单、方便的细胞芯片制备仪,并验证其功能.方法 制备仪由相互配合的阵列管固定板和内芯固定板组成,在阵列管固定板上按行列方式设有多根带微孔的阵列管,在内芯固定板上设有多根与阵列管固定板上各阵列管对位配合的阵列管内芯.工作中通过阵列管及内芯间形成的空腔结构,将细胞样本通过琼脂糖包埋于空腔内,使之在带微孔的阵列管空间进行脱水、透明、浸蜡等处理,进而制成细胞芯片石蜡包埋块,再经过切片、染色后即可完成细胞芯片的制备.结果 细胞芯片制备仪能够迅速制备出27种细胞的细胞芯片,肉眼观点阵完整,分布均一,经HE切片及免疫组化染色证实,染色效果良好,结果可靠.结论 细胞芯片制备仪构造简单,操作方便,能够迅速成型制备出多种不同细胞类型的细胞芯片,适用于推广使用. 相似文献
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桑色素-铝离子-核酸三元体系的研究及其分析应用 总被引:3,自引:0,他引:3
用分光光度法研究了桑色素-铝离子-核酸三元体系。在pH 3.25的Britton-Robinson介质中, 桑色素在250,300和350nm处有吸收峰。铝离子的加入使桑色素350nm处的吸收峰下降, 在419nm处出现桑色素-铝络合物的吸收峰。再往桑色素-铝离子二元体系中加入核糖核酸或脱氧核糖核酸, 则进一步引起桑色素350nm吸收峰的降低,419nm处的吸收大大加强, 同时在370nm处有一等色点。419nm处吸光度的增加值与加入的核酸量在一定范围内成正比, 基于此建立了在较宽范围内测定核酸的方法。其线性范围分别为:ρ(ct DNA), 0.71~35.4μg/mL;ρ(fs DNA), 0.64~25.6μg/mL;ρ(y RNA), 0.94~28.4μg/mL。 相似文献
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