入侵检测系统规则的挖掘

针对基于网络的入侵检测系统Snort,提出了一种新颖的规则挖掘方法.这种方法希望帮助Snort入侵检测系统,自动从检测的攻击数据中生成误用检测规则,实现自动检测最新攻击和异常攻击的能力.为了达到这样的功能,设计了一个规则挖掘模块,它能够应用数据挖掘技术从收集的检测攻击包中提出新的攻击规则,并且转化到Snort系统的检测...     

防误操作检修闸刀程序软件的开发与应用

杜绝误操作事故历来是电力公司的目标和宗旨,随着城乡电网的发展,变电所出线增多,检修闸刀的工作量增大,一但发生误操作事故,将造成极大的社会、经济影响.基于目前国内采用的机械防误装置、程序锁、电气防误装置的原理,想要实现“防止误操作检修中闸刀”的强制闭锁的可能性几乎为零.为此,笔者所在单位成立QC小组,研发出防误操作检修闸...     

水滴在撞击不同厚度水膜条件下产生的二次液滴特性

采用高速相机对水滴撞击水膜的飞溅过程进行了详细测量,分析了水滴撞击水膜的飞溅临界值、二次液滴的直径分布和二次液滴的速率等飞溅特性。结果表明,在实验参数范围内,当韦伯数增大时发生飞溅现象。此外,可以使用量纲为一参数K 来描述飞溅临界值,K=We·Oh^-0.4。当K值大于2 100时发生飞溅现象,二次液滴的量纲为一直径和二次液滴的量纲为一速率随着K值的增大而增大。水膜量纲为一厚度对二次液滴直径分布的影响不明显,但由冠状水花产生的二次液滴的平均量纲为一速率随水膜量纲为一厚度的增加而减小。     

光纤通信用超高速半导体集成光源取得重大进展

波分复用技术是现代光纤通信网络的支柱技术 ,基于单路 10Gb/s的波分复用技术已逐步成熟 ,单路 4 0Gb/s成为下一步研发目标和重点。通信系统的发展离不开高速光源的支持 ,因此对于 4 0Gb/s系统光源的研究方兴未艾。电吸收调制器具有速度高、体积小、驱动电压低的优点 ,并可与无源波导、分布反馈激光器或光放大器集成构成集成光源。目前 ,4 0Gb/s电吸收调制器集成光源还处在研发阶段 ,虽然有Hitachi、CNET、NTT、OKI、Fujitsu和Agere等公司相关产品的报道 ,但仅有OKI发布了 4 0Gb/s产品相关信息。清华大学集成光电子学国家重点实验…     

面向高速网络连接记录管理的高效哈希表

针对高速网络环境下连接记录管理的性能需求,提出了一种改进的高效哈希表PRH-MTF(伪随机哈希-移至最前).首先在定义输入关键字即连接标识符的基础上,通过选择适当的运算符,设计了高效鲁棒的哈希函数PRH.为有效解决哈希冲突,根据网络数据流局部性特点,应用MTF启发法,改进了传统的链式冲突解决方法.以分组火车模型作为数据包到达模式,分析了PRH-MTF哈希表的算法复杂度,推导出了平均查找长度.最后通过实际高速网络数据流和模拟攻击的方式,对PRH-MTF哈希表进行了实验评估.实验结果表明,PRH-MTF哈希表在查找性能和抗攻击能力等方面均优于传统的简单排序哈希表.     

GaN基材料的低温外延技术

GaN基半导体材料的禁带宽度覆盖了整个可见光波段,且其具有优良的物理化学特性,因而被广泛应用于光电子器件、电力电子器件及射频微波器件的制备.传统的GaN基材料通常是利用金属有机物化学气相沉积、分子束外延或氢化物气相外延等在蓝宝石、硅或碳化硅等耐高温的单晶衬底上外延生长得到.这些外延生长技术通常采用高温来裂解参与反应的前驱体.随着信息化和智能化的变革不断深入,催生出了对核心光(电)子器件的低成本和柔性化等共性需求.廉价且易于大面积制备的非晶衬底(玻璃、塑料、金属、聚对苯二甲酸乙二醇酯(polyethylene terephthalate, PET)、聚二甲基硅氧烷(polydimethylsiloxane, PDMS)等)是较为理想的选择,但非晶衬底的一个显著缺点是不能耐受较高的生长温度.由此催生出了GaN基材料低温外延的需求,即需要一类在低温下可以利用外电场能量裂解反应前驱体的外延设备.到目前为止,人们基于物理气相沉积和化学气相沉积的基本原理已经开发出了多种低温外延技术,取得了初步的研究结果.本文分别对这两类低温外延技术进行详细介绍,包括设备结构、工作条件和相关的外延生长结果,总结各类...     

关于计算机音乐制作中立体声声像定位的研究

计算机音乐近十年来发展迅猛。计算机音乐系统两大核心技术——“MIDI技术”和“数字音频技术”日趋成熟，原来由作曲、乐师、录音师、混音师等多人完成的工作现在甚至可交由一人独立完成，这就要求我们的计算机音乐制作者拥有更全面的技能。 本文从计算机音乐制作中立体声声像定位的原理出发，参考多种乐器和人声的声学特征，结合计算机音乐制作的特点，通过认真研究各种音源在立体声声场中声像的定位，并配合一些软硬件的操作和运用，对如何解决计算机音乐制作中的立体声声像定位问题做了一个详细的阐述和总结，以供大家参考。     

1-苯基-3-甲基-4-苯甲酰基-5-吡唑啉酮(PMBP) 萃取钍流程的改进

在用PMBP(1—苯基—3—甲基—4—苯甲酰基—5—吡唑啉酮)从14MeV中子照射过的天然U靶溶液中萃取Th流程的基础上,将萃取介质改为HNO3溶液,并将单次萃取—反萃改为两次萃取—反萃;在反萃溶液中加入I^-载体和：NaNO2溶液,在Fe(OH)3沉淀溶液中加入Br^-载体。用改进后的流程从60MeV／u^18O离子轰击天然U的：HNO3溶液中分离Th,从制得的Th样品的γ射线谱可以看出,该流程能去除绝大部分产物元素,特别是能完全去除溴和碘。     

基于铝诱导结晶的多晶硅薄膜材料结构优化

基于铝诱导结晶化（AIC）方法,研究了不同溅射材料结构对多晶硅薄膜形成过程和材料特性的影响.首先利用射频溅射Si和直流溅射Al的方法,分别在普通玻璃衬底上沉积Si/Al/Glass,Al/Si/Glass,Si/Al/L/Si/Al/Glass三种不同结构的薄膜材料.采用相同的低温退火（500℃）工艺,对上述薄膜进行了多组时间下的退火Al诱导结晶处理.对退火处理后的样品去除表面多余Al之后进行了X射线衍射、电子显微镜表面观察和霍耳迁移率测试,分析其晶体质量特性和电学特性.结果表明,在足够长时间下,3种结构均可成功实现AIC多晶硅薄膜,其中采用多重周期性结构的薄膜结晶速度最快,并得到更优的结晶效果.     

对大学生思想政治教育和谐环境的思考

如何努力加强和改进大学生思想政治教育工作、为大学生成长与成才营造和谐的教育环境是目前高校急需研究和解决的新课题。从分析当前大学生思想政治教育环境存在的不和谐因素入手,提出了营造和谐的大学生思想政治教育环境的对策。