SBD势垒高度的影响因素分析

目前,硅材料的肖特基势垒二极管(Schottky Barrier Diode SBD)的击穿电压普遍很低,严重影响其实际应用。为了解决这个关键性的问题,本文采用实验与理论分析相结合的方式,着重于表面态、界面层对势垒高度的影响进行研究。提取出三个重要参数,表面态密度Di、界面层电容密度Ci和表面态中性能级Φ0。结果表明:势垒高度的高低强烈依赖于这三个特性参数的大小。     

Al2O3陶瓷基体温度传感器的激光精密加工技术研究

为了掌握采用激光精密加工技术加工Al2O3陶瓷基体温度传感器的最佳工艺参数,文中采用声光调QNd:YAG激光划片机加工Al2O3陶瓷基体,研究激光划片工艺参数与Al2O3陶瓷基体上刻槽深度与宽度的关系,以及采用调阻机加工Pt薄膜电阻,研究激光调阻工艺参数与调阻精度的关系。     

磁控技术成膜的工艺研究与微观表征分析

在氩气的气氛中采用直流磁控溅射方法,在玻璃基片上制备铂薄膜热敏电阻,并对铂薄膜的微观组织进行分析,同时研究了磁控溅射镀膜工艺参数对制备铂薄膜的影响,分析了参数中溅射功率、溅射时间与膜厚的关系。并利用Matlab软件建立了溅射时间、溅射功率与膜厚的三维关系模型图。     

VDMOS器件微观结构研究

随着VDMOS器件的广泛应用及其制作工艺的发展进步，对提高VDMOS器件性能的研究也日益受到重视．通过利用扫描电子显微镜（SEM）技术，对VDMOS器件的纵向结构元素分布及其在硅腐蚀液腐蚀前后的微观结构变化进行了研究．SEM图像分析表明各元素分布区域界限明显，经过浓度配比为w（HF）：w（HNO：）：W（HAC）：1：10：7的硅腐蚀液腐蚀后的样品断面的微观结构清晰．     

一种基于覆盖率的功能验证方法

针对功能验证的特点，在传统功能验证的基础上，引入覆盖率作为验证程度的反馈信息，从而有针对性地完善了验证环境，提高了验证程度．并以一款8位MCU为例，介绍了基于覆盖率的功能验证方法的具体实现．     

基于扭转RF MEMS开关的设计

为了降低RFMEMS开关的驱动电压，根据扭转力学和应变力学理论，提出了基于扭转RFMEMS的开关模型，建立了相关数学公式，给出了加工工艺流程，并仿真得到了不同条件下RFMEMS开关的电机械性能．工艺仿真结果表明：完全可以利用已有生产流程制造基于扭转的RFMEMS开关．性能仿真结果表明：在同等条件下，采用扭转机制，RFMEMS开关的制动电压将降低30％。     

无机纳米杂化聚酰亚胺薄膜纳米颗粒特性研究

高聚物-无机纳米杂化材料具有优良的力学和电学性能,本文采用溶胶-凝胶工艺制备了无机纳米杂化聚酰亚胺薄膜,利用透射电子显微镜、X-射线衍射仪、扫描电子显微镜及能谱分析仪,研究了杂化薄膜的微观结构、相结构及分布,并对纳米颗粒的特性进行了讨论.结果表明,薄膜中含有两种纳米颗粒Si O2和Al2O3,颗粒尺寸约5nm～40nm,其中Si O2颗粒尺寸较小,以非晶团簇形式存在.在高能电子束照射下,Si O2颗粒容易分解;Al2O3颗粒结晶则较稳定.     

聚酰亚胺纳米杂化薄膜的透光率与光击穿特性

为了研究无机组分的添加对复合材料抗光击穿能力的影响,采用溶胶－凝胶法制备不同组分的Al2O3／PI复合薄膜,利用半导体激光照射不同组分的Al2O3／PI薄膜,研究其透光率、光击穿区域的形貌及不同区域的元素分布、击穿孔区的有效面积。数据分析表明：随Al2O3含量的增加,杂化薄膜的透光率、光击穿孔区的破坏程度、孔区的面积逐渐下降。实验结果表明：纳米Al2O3颗粒可以减小复合薄膜击穿孔的有效面积,从而提高复合薄膜耐击穿性。杂化薄膜的透光率可以袁征其光击穿情况。     

声—振动多功能传感器减振封装研究

本文利用ANSYS(有限元分析软件),对微振动-声多功能传感器的封装关键部件—减振橡胶和芯片粘合体进行实体建模和计算机模拟(模态分析、静态和瞬态分析)。通过模拟结果确定空心模型最佳尺寸。