关于晶格能的计算

晶格能U是晶体最重要的性质之一。并且利用他还可以计算各种性质(例如电子亲和势)。在研究很多化学及物理过程时(特别是热化学过程)这个量是十分重要的。自Partington一书出版及Pritchard评论性文章发表以后,几年来又发表了一些有关计算晶格能U的文章。这就说明了研究者们力图寻找比较简单的计算晶格能的方法,并修正及充实最基本的晶格能数据。以下我们将对最近发表的工作作一简短的概述。提出方程式:     

一水甲酸锂单晶的培养

用水溶液降温法生长了光学优质的一水甲酸锂大单晶，尺寸约为３．５ｃｍ×４ｃｍ×５ｃｍ．给出 了一甲酸锂单晶体透光率和二次谐波相位匹配的实验结果．     

二水甲酸钇晶体最佳相位匹配角的计算

本文给出了二水甲酸钇晶体折射率的Ｓｅｌｌｍｅｉｅｒ公式。计算了该晶体从１．０６４μｍ到０．６７４μｍ的各种基波波长的Ｉ型和Ⅱ型倍频相位匹配角以及相应的有效非线性系数，求出了最佳匹配角，描述了最佳匹配角的相对非线性系数随基波波长的变化规律。还进行了三倍频（１．０６４μｍ＋０．５３２μｍ→０．３５５μｍ）的最佳匹配角的计算。对该晶体进行了１型倍频实验，验证了相位匹配曲线，实验结果与计算结果吻合。     

N－（4－硝基苯）－（1）－脯氯醇晶体（NPP）在不同有机溶剂中的生长习性和结晶形态

对在一些有机溶剂中非线性光学有机物质ＮＰＰ（Ｎ－（４－硝基苯）－（１）－脯氨醇）晶体的生长习性进行了研究，发现它在二甲亚砜和水的混合溶剂中或在硝基甲烷溶剂中能长出较好的单晶。     

甲酸钠晶体生长及其性能

合成甲酸钠晶体，测定其在水中的溶解度。采用降温法从ｐＨ＝９的水溶液中生长出外形完整的大尺寸单晶，并对该晶体进行红外光谱，差示扫描量热测量、晶体透光率和晶体粉末倍频效应测试。还讨论了结构与性能的关系。     

NH_4(COOH)-Y(COOH)_3-H_2O体系40℃相图

本文用“湿碴法”测定了ＮＨ４（ＣＯＯＨ）－Ｙ（ＣＯＯＨ）３－Ｈ２Ｏ体系４０℃时的等碴相图，得到了复盐ＮＨ４Ｙ（ＣＯＯＨ）４·Ｈ２Ｏ，用多晶粉末衍射、热分析对固相进行了鉴定。     

甲酸锂晶体生长动力学

本文介绍并讨论了在３１３．３５Ｋ和３０６．４６Ｋ情况下－水甲酸锂晶体不同晶面的生长速率与过饱和度之间关系的动力学数据，以及观察到的母液包藏情况．说明了测量的（Ｒ、σ）曲线能够用ＢＣＦ表面扩散模型──应用于溶液中的晶体生长加以解析．计算了不同阶段活化能的数值并跟在水溶液中生长的其它物质相比较．只有在过饱和度小于１％的情况下才能生长出无母液包藏的一水甲酸锂晶体．     

超软X射线分光晶体OHS溶液性质的研究

较系统地观察研究了ＯＨＳ晶体在各种有机溶剂中自发结晶的规律和结晶习性，测定了ＯＨＳ在苯和甲苯中的溶解度曲线和介稳区宽度。提出了单晶生长较合适的溶剂和生长温度区间，对溶液的状态进行了讨论。     

从TAP晶体生长废液中碘化法回收鄰苯二甲酸氢铊

建立了合理的回收工艺流程：一次回收率在９８％以上。 母液通过强酸性阳离子交换树脂，柱内径１．２厘米。高４０厘米，流速１２０毫升／小时。连继三级交换，母液中铊含量由～１０ｒ／毫升下阵到０．０３ｒ／毫升。吸着在柱上的铊用１２Ｎ硫酸洗脱。     

一水甲酸锂钠晶体的培养和pH值对晶体生长的影响

本文介绍一水甲酸锂钠单晶体的生长条件．测定了甲酸锂、甲酸钠、水三组分相图．确定了甲酸锂与甲酸钠克分子比等于１：１的水溶液为适宜的培养液组成配比．还测定了一水甲酸锂钠在水中的溶解度曲线．实验表明，ｐＨ值对一水甲酸锂钠晶形的影响是明显的．ｐＨ＞７时，能使溶液稳定，容易获得优质的单晶体．