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VEGF在大鼠局灶性脑缺血再灌注损伤中的表达变化 总被引：3，自引：0，他引：3
目的 研究局灶性脑缺血再灌注中心区、半影区VEGF表达的动态变化及意义．方法 采用线检法制备大鼠局灶性脑缺血再灌注模型．采用神经病学评分、TTC染色、光镜检测对模型予以评价．在此基础上采用免疫组化技术，观察缺血3h及缺血3h再灌注3，6，24，72h缺血中心区及半影区VEGF表达的动态变化，以及观察相应时间点缺血中心区及半影区病理组织学变化．结果 正常对照组及假手术组VEGF呈阳性表达，缺血3h及缺血3h再灌注3，6h中心区及半影区VEGF表达明显增强，缺血3h再灌注24，72h缺血中心区VEGF表达接近正常，而此时半影区呈升高趋势，24h达到高峰，72h有所下降(与假手术组相比，P＜0．05)．相应神经元的病理组织学变化也随再灌注时间的延长而加重．结论 正常脑组织中VEGF呈弱阳性表达，缺血半影区随缺血再灌注时间延长表达增强．随着缺血再灌注时间延长，中心区神经细胞以坏死为主，半影区以神经细胞以凋亡为主．提示VEGF对脑缺血损伤后的神经细胞有保护和修复作用． 相似文献
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