光在不同界面反射时的Goos-Hnchen位移

分别计算了光由正折射率材料入射到负折射率材料,由负折射率材料入射到正折射率材料,由一种负折射率材料入射到另一种负折射率材料时,反射光束所产生的Goos-Hnchen位移.材料的吸收作用以及TE和TM极化对Goos-Hnchen位移的影响被分析.     

截断参数对透镜衍射场分布的影响

基于菲涅尔衍射积分和将硬边孔径函数展开成有限项复高斯级数方法推导出了计算透镜衍射光强分布的解析表达式.所得的解析表达式克服了直接计算衍射积分的困难.应用这个表达式研究了截断参数(透镜的半径与高斯光束束腰半径的比值)对透镜衍射场分布的影响.数值结果显示,由于透镜的孔径对高斯光束的截断使得焦点向着透镜迁移,截断参数愈大,焦移量愈大,成像光斑愈大.     

浸没环境对自负折射率薄膜表面反射光的Goos-H(a)nchen位移的影响

计算了光从真空-负折射率薄膜-真空,真空-负折射率薄膜-金属, 正折射率介质-负折射率薄膜-真空以及真空-负折射率薄膜-正折射率介质四种复合结构中的负折射率薄膜表面反射的等效反射系数和GH位移.着重比较分析了在正折射率介质-负折射率薄膜-真空,真空-负折射率薄膜-正折射率介质两种结构中正折射率材料的吸收效应对不同入射极化波的GH位移的影响.     

铁电陶瓷电致失效的非平衡态统计理论研究

运用非平衡态统计断裂理论对电场中的中心穿透裂纹的扩展问题进行研究.从理论上得到与实验结果相一致的结论:负电场阻碍裂纹的扩展而正电场促进裂纹的扩展.     

用磁场的高斯定理求解磁力线方程

本文以两无限长通电直导线为例，利用磁场的高斯定理求解磁力线方程，与传统方法相比，具有简捷、直观的优点，是求解磁力线方程的一种好方法。     

磁致伸缩材料性能表征研究

磁致伸缩材料的磁致伸缩系数值与磁场强度大小、温度和材料种类等有关.它们分别由应变仪、高斯计及铂电阻为传感器,与计算机及其A/D,D/A扩展板组成数字表征系统.介绍了该计算机系统硬件的组成与配置、软件的编制与调试及测试结果分析.     

镜像法求解稳恒场的边值问题

一般说来，求解稳恒场（静电场、静磁场）并没有普遍适用的方法，需要根据具体情况来具体地考虑，而且在许多情况下，只能用数值方法求解，只有比较简单的情况，才能完全解析地求出结果，常用的解析方法有：分离变数法、格林函数法和镜像法等，下面将分别对两介质介面为平面、二面直角和球面的情况谈谈镜像法在稳恒场中的应用。     

光在不同界面反射时的Goos—Hanchen位移

分别计算了光由正折射率材料入射到负折射率材料,由负折射率材料入射到正折射率材料,由一种负折射率材料入射到另一种负折射率材料时,反射光束所产生的Goos-H(a)nchen位移. 材料的吸收作用以及TE和TM极化对Goos-H(a)nchen位移的影响被分析.