单晶硅片化学机械抛光材料去除特性

根据化学机械抛光(CMP)过程中硅片表面材料的磨损行为,建立了硅片CMP时的材料去除率模型,设计了不同成分的抛光液并进行了材料去除率实验,得出了机械、化学及其交互作用所引起的材料去除率.结果表明,磨粒的机械作用是化学机械抛光中的主要机械作用,磨粒的机械作用与抛光液的化学作用交互引起的材料去除率是主要的材料去除率.     

基于多参数摩擦模型的游梁式抽油机机构动力学分析

 论述了多参数摩擦模型中各参数的物理意义及其取值;分析了指数+双曲正切摩擦模型中,Striebeck速度与双曲正切函数中参数k的关系;建立了基于该模型的游梁式抽油机非线性动力学分析模型,并采用数值迭代法求解,获得了驱动力矩和机械效率的变化规律。理论计算与实际现象相符,说明在机构动力学仿真中,指数+双曲正切这一多参数摩擦模型较之库仑摩擦模型能更精确地反映运动副耗散力的影响。