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用边界元素法把具有高斯反射镜的平凹腔的衍射积分方程转化为有限阶的矩阵方程,并计算了具有高斯反射镜的平凹腔当平面输出镜发生呈高斯分布的镜面变形时谐振腔基模的场强、相位分布和本征值.结果表明,当变形量较小时,高斯镜平凹腔基模光场半径随腔镜变形量的增大而增大,但不发生畸变,远场分布基本上不受影响,本征值下降甚微,这有效地保持了激光束的质量和功率输出,并利于增益介质的利用.仅当变形量较大,如当中心变形量达到1.2λ以上时,光场分布才发生畸变,远场光斑聚焦特性和中心强度下降,基模冬征值也随变形量的增加大幅下降. 相似文献
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提出将Cs法拉第反常色散光学滤波应用于边缘滤波器,以弥补利用127I2和129I2分子的共振跃迁实现分子边缘滤波器的不足.对Cs 6S1/27P1/2法拉第反常色散谱的滤波特性、频率调谐特性进行了理论分析.结果表明:Cs原子的法拉第反常色散谱对称地存在2个陡的线翼透射峰,通过调节气室温度和外加磁场强度,线翼透射峰中心频率可以被调节到适当的位置,以满足边缘滤波器的实际需要. 相似文献
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采用傅里叶变换法求解近轴波动方程,然后利用快速傅里叶变换对二维离散点处理比常规迭代法快的突出特点,模拟了横流CO2激光器输出特性,给出了三维稳态分布图.并探讨了腔镜倾斜、增益非均匀存在时对光腔模式的影响. 相似文献
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理论计算飞秒脉冲激光作用下,单晶硅的吸收系数和烧蚀阈值.当激光强度范围在1013~1014W/cm2之间时,详细分析了2个光子的吸收在等离子体形成过程中产生的重要作用,发现当等离子体数密度超过传统意义上的临界密度时,须采用薄膜光学的几何矩阵方法来计算单晶硅表面的吸收系数.在此基础上,依照材料的静电烧蚀机制计算单晶硅的烧蚀阈值,结果和实验数据符合的较好. 相似文献
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高斯镜平凹腔激光场模式特性研究 总被引:3,自引:0,他引:3
运用边界元法数值计算了平凹谐振腔具有高斯反射镜情况下的场强分布和相位分布,考察了高斯反射镜谐振腔的模鉴别规律和增大模半径的规律.高斯反射率镜平凹腔可扩大模式本征值差,具有模鉴别能力,中心反射率大小对选模能力也有影响,但对基模半径无影响. 相似文献
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