变形蔡氏电路的混沌保密通信仿真研究

为了便于蔡氏混沌电路的集成,设计了具有模拟电感的蔡氏混沌电路。在此电路基础上,进一步设计了混沌保密通信电路,并进行了仿真研究。结果表明,合适参数的发送信号在该混沌保密通信电路中能被很好地掩盖,也很难被窃听,发送信号和保密通信电路解调出来的信号是一致的,说明该通信电路具有很好的保密性能。但是当发送信号的幅度和频率超过一定值时,该混沌保密通信电路几乎不能实现对发送信号的保密。     

HCNO+OH→HCO+HNO反应的密度泛函理论

利用密度泛函理论的B3LYP方法研究了HCNO OH→HCO HNO的反应机理,在6-311 G(3df,2p)水平上对反应物、中间体、过渡态和产物的几何构型进行优化.频率分析证实了各种成分存在的真实性.内禀反应坐标(IRC)揭示了上述反应的微观机理,获得了反应的活化能和反应焓变.结果表明:整个反应是多步骤完成的吸热过程,其中能量最低的中间体是IM2,反应所需的活化能是119.99 kJ/mol,理论计算的吸热值为125.24 kJ/mol.     

氧化钐掺杂氧化铈纳米材料的导电性

利用溶胶-凝胶法制备了Sm2O3掺杂CeO2系列固体电解质.通过粉末X射线衍射谱对所制备的电解质材料进行了平均晶粒尺寸和晶格常数分析,并利用交流阻抗谱测试结果分析了样品的电导率机理.研究表明,粉末样品晶粒尺寸较小,属于纳米级材料,且具有立方萤石型结构.另外,随温度的升高,Sm2O3掺杂CeO2样品中的氧离子通过空位移动速度增大,而使其电导率也随之线性增大;Sm2O3掺杂CeO2样品随掺杂比例变化而导致空位变化,使其导电率也在一定程度上受到了影响.