用低压气雾化法成功制取BiSn合金微粉

用惰性气体雾化法所得的粉粒具有均匀的圆球形状,粒度可达10～20μm,含氧量低.但是使用这种方法的喷气压力较高(4～8MPa),气体消耗量大,生产成本较高,使大规模工业生产受到限制.本方法使用低喷气压力(0.3～0.5MPa),通过改善喷嘴设计等方面的参数可达到最佳粒度分布为10～20μm的BiSn共晶合金粉末.喷嘴设计采用了改进的环孔结构,在低熔点合金雾化时,制作简单,在气流剪切金     

三点弯曲加载下YBCO电阻及K_(1c)特征研究

在300K和77K下,用三点弯曲方法测定了零电阻温度为79～85K的YBCO长条状超导试样的电阻压头位移曲线和平面应变断裂韧性K_(1c)。结果表明,77K下零电阻特性可以保持到完全断裂前瞬间,由K_(1c)得到的表面能比300K的高,高出的部分可被认为是应力诱导下的少量超导相变所附加的能量。     

Te对高温超导陶瓷YBa4Cu6Oy超导电性的影响

对YBa_4Cu_6Oy陶瓷的研究表明,它具有与YBa_2Cu_3O_(7-δ)凸相近的超导电性。以CuTeO_3方式加入适量的Te使它的临界电流密度Jc增加近一个量级而Tc仍保持在90k附近。     

μm量级螺纹钢拉伸断口的分形维数

测定了螺纹钢在热轧、退火、正火状态下，码尺度度为２．５－６２．５μｍ的分形维和它们的自相似结构上界长度。表明在不同码尺范围，维数和上界不同，在１０－６２．５μｍ区间，维数高，强度低，塑性好。     

磁光材料中畴壁运动速度与外场间关系的研究

直接测量(BiTm)_3(FeGa)_5O_(12)薄膜中BLOCK壁的运动速度与外磁场变化率间的关系表明,畴壁运动速度随磁场变化率的增大关系与畴壁动力学关系相符.     

地方高校理工类教育中的几种临界点现象

普通理工类地方高校教育中照搬有几十年历史的省立或国立高校的做法或采用纯职业教育的方法组织教学,都是超越临界点的不利于培养人才的方法.知道教育历史的主要经验教训,了解地方实际,通过多数教职工共同努力找寻到不同类别的临界点并在该点以内做得最佳是符合实际的办法.     

镍中运动磁畴壁引起的一个Maxwell型内耗峰

为了研究运动磁畴壁的动力学特征,我们在以一定的速率H 增大磁场强度的磁化过程中,测量了纯Ni 中运动畴壁所引起的内耗行为.由下面将要讨论到的三个特点,表明这种内耗是一种运动畴壁所引起的Maxwell 型粘弹性内耗.试验用化学纯Ni 丝(99.9%),截取成长为250mm,直径为1.6mm 的试样,密封后经800℃保温一小时,炉冷.测量内耗的设备,是一台以多层漆包线制成并可通水冷却的螺线管代替加热炉的正扭摆;用一台可线性增大电压的直流稳压电源来提供直流磁化场所需的电流;用一支在水平方向固定于横摆杆上的八类磁钢代替部分摆锤,当扭摆振     

碲及其复合物对BSCCO,V_2O_3和Fe_2O_3的物理性能的影响

在高温超导陶瓷、钒氧化物和铁氧体中加入碲或碲与金属的复合氧化物,在恰当的工艺条件下,可以提高试样的硬度、致密度、钇系高Tc超导陶瓷的电流密度,降低铁氧体的居里点,导致铋系高温超导体出现高温亚稳相,在钒氧化物中引起介电常数峰以及使340K相变时电阻率曲线出现奇异。本文用固态相变的观点和元素碲的特性讨论了这些现象。     

高纯铝在范性形变过程中内耗对频率和速率的响应行为

考虑了位错平均速度V=f(σ)随时间或应变的变化之后,导出了金属在范性形变过程中内耗Q～~(-1)与位错动力学关系式V=f(σ),形变速率ε、测量频率ω、测量振幅σ_A 以及切变模量G 等的关系为(?)此处(?)t、(?)p 分别为扭切应力和拉伸应力的平均取向因子,Г(n)为取正值的积分常数,m 为除0,-1以外的整数。可见,形变过程内耗可能出现正比于(ε/ω)~(2/3)、((?)/ω)~(1/2)、((?)/ω)以及((?)/ω)~2等各种对于ω和(?)的响应行为。而且出现随测量振幅σ_A增大而减小的反常振幅效应内耗。高纯铝在拉伸速率(?)=50×10~(-6)/秒时,形变过程内耗Q~(-1)的实验数据与上式中n=-2时的结果符合得很好.此时的内耗可表示为Q~(-1)=0.245(G/σ_A)β_(-2)((?)/ω)~(1/2)/(V_0~′+β_(-2)ε~(-(1/2)).亦即Q~(-1)正比于((?)/ω)~(1/2).还观测到随着σ_A 的增加而减小的反常振幅效应内耗.高纯铝在恒速拉伸时,当ε>0.5%后,位错的平均速度(?)_0。与形变量ε间的关系可表示为(?)_0=V_0~′+βε~(-(1/2));而运动位错的密度ρ可表示为ρ=(?)/ab(V_0~~′+βε~(-(1/2)).