内氧化工艺对Al_2O_3/Cu复合材料中Al_2O_3颗粒分布的影响

采用压块加入法和分别加入法两种内氧化工艺 ,将 Cu O和 Al粉末加入到 Ar气保护的铜液中制备 Al2 O3/ Cu复合材料 ,在光学显微镜、扫描电镜及 X射线衍射仪上观察分析了Al2 O3颗粒的数量、分布及材料的相组成。结果表明 ,压块加入法生成的 Al2 O3颗粒呈枝晶状分布 ,最佳保温时间为 30～ 45 min;分别加入法生成的 Al2 O3颗粒呈弥散状分布 ,最佳保温时间为 45～ 6 0 mi     

含砷稀土镁球墨铸铁的石墨形态

研究了含砷生铁在电炉熔炼条件下, 加入稀土镁硅铁合金的铸铁中石墨形态特点及砷的分布规律。结果表明, 砷既有干扰石墨球形成, 诱发水草形、松枝形石墨析出的作用,也有使石墨球更加圆整的作用; 石墨形态的变化还与试样尺寸有关     

内氧化工艺对Al2O3/Cu复合材料中Al2O3颗粒分布的影响

采用压块加入法和分别加入法两种内氧化工艺，将ＣｕＯ和Ａｌ粉末加入到Ａｒ气保护的铜液中制备Ａｌ２Ｏ３／Ｃｕ复合材料，在光学显微镜、扫描电镜及Ｘ射线衍射仪上观察分析了Ａｌ２Ｏ３颗粒的数量，分布及材料的相组成。结果表明，压块加入法生成的Ａｌ２Ｏ３颗于枝晶状分布，最体保温时间为３０－４５ｍｉｎ。分别加入法生成的Ａｌ２Ｏ３颗粒呈弥散状分布，最佳保温时间为４５－６０ｍｉｎ。     

铝合金表面特性与微弧氧化膜层生长过程的相关性

利用扫描电镜(SEM)、X线光电子能谱仪(XPS)和IM6e电化学工作站等分析手段,探讨沉积层阻抗与微弧氧化膜层生长过程的相关性。研究结果表明:溶质离子参与沉积层的形成,并使其物质组成、微观结构以及阻抗产生较大差异,进而影响起弧时间和起弧电压;起弧后陶瓷层生长将依赖于基体铝向氧化铝的转变而使样品表面阻抗增大,有微量溶质离子被动参与成膜;铝合金表面预制备膜在起始阶段即增加样品的绝缘性,其种类和阻抗对微弧氧化起弧和生长过程影响均较小。