用计算全息制作啁啾光纤光栅的研究

提出了一种制作啁啾光纤光栅的新方法———计算全息法,对该方法进行了理论分析,描述了制作过程和实验装置,给出了一个用计算全息制作的啁啾参数为F=32π,长度为21.6μm的样品,得到了该样品在光学系统中的再现像。     

砷形态分析方法

建立了水环境中的4种砷形态亚砷酸(As(Ⅲ))、砷酸(AS(V))、一甲基砷酸(MMA)、二甲基砷酸(DMA)的形态分析方法.在pH 6.0磷酸盐作流动相、梯度洗脱条件下,4种砷形态在IC-Anion-PW阴离子交换色谱上获得了分离.以20g/L的KzS2 08溶液作氧化荆,紫外催化氧化消解,可使有机砷完全转化为无机态的As(V).并在10%的盐酸栽流、20g/LKBH4+5g/LKOH溶液为还原剂的条件下,实现了氢化发生原子荧光检测.将所建立的方法用于地下水样品的测定,4种形态砷系物在O～20mg/L的质量浓度范围内都表现出良好的线性关系.各检出限均保持在约0.1/g/L水平,回收率控制在95%～110%以内,相对标准偏差≤3%.     

二维光学子波变换中输入图像与子波匹配滤波器大小的研究

在应用计算全息制作子波匹配滤波器实现二维光学子波变换的研究中 ,输入图像与子波匹配滤波器的大小 ,对于实验结果有较大的影响。给出了简要的理论分析和实验结果 ,实验结果与计算机模拟完全一致。     

氢化非晶硅(a-Si:H)光电导研究中的新现象

本文研究衬底温度(T_s)从室温至623K生长的氢化非晶硅的光电导的温度依赖关系.首次发现了出现光电导的热淬灭(TQ)的温度区随a-Si:H的T_s的降低系统地移向较低温度区.光电导特性是衡量非晶态半导体的一个重要参数,因为它不仅涉及到载流子的激发、俘获、复合等过程,而且与载流子的输运特性紧密联系.一些研究小组在研究结论中指出a-Si:H薄膜的光电导对于其生长参数很敏感,如掺杂浓度、生长中的射频功率等.但尚未见系统     

氢化非晶硅光电导研究中的新现象

研究了衬底温度（Ｔｓ）从室温至６２３Ｋ生长的氢化非晶硅（ａ—Ｓｉ：Ｈ）的光电导的温度依赖关系，首次发现了出现光电导的热淬灭（ＴＱ）的温度区随ａ—Ｓｉ：Ｈ的Ｔｓ的降低系统地移向较低温度区．分析了ａ—Ｓｉ：Ｈ中这种新现象与费米能级位置以及能隙中缺陷态密度分布的关系．     

用计算全息法实现二维Morlet子波变换

应用计算全息制作子波匹配滤波器实现光学Morlet子波变换,并给出了Morlet子波变换计算机模拟结果和光学实现的实验结果,两者相一致。