超细SiO2颗粒废料的表面改性

以通信光纤生产中产生的超细二氧化硅颗粒废料为原料,经水纯化处理后,用硅烷类偶联剂对其表面进行化学改性.傅立叶红外光谱和热重分析结果表明,改性后的超细二氧化硅颗粒表面的硅羟基吸收峰明显减小,热失重增加,表明其与硅烷类偶联剂发生了化学键合;激光光散射和扫描电字显微镜的测定结果发现,改性后的超细二氧化硅颗粒粒径减小,颗粒分散性大大提高,在电镜照片中无明显的大团聚体,表明超细二氧化硅颗粒表面键合了疏水性有机分子链,疏水性增强,达到了改性目的,为超细二氧化硅废料的回收利用提供了广阔的市场.     

基于PbS掺杂少模光纤的线偏振模放大

本文采用改进的化学气相沉积（modified chemical vapor deposition,MCVD）法制备了一种新型少模光纤——硫化铅（PbS）掺杂少模光纤,研究了该光纤的荧光特性,并基于空间光调制器搭建了少模光纤放大系统,测量了光纤的模式增益特性。实验结果表明：在980 nm激光泵浦下,该光纤表现出超宽带近红外发光,光谱范围为1 050~1 650 nm;在1 540~1 560 nm波段范围内,实现了LP₀₁和LP₁₁模式放大,平均模式开关增益为4.5 dB,差模增益小于0.6 dB。该光纤为模分复用系统实现宽带模式放大提供了可行性。     

辐照对Bi/Er/La共掺有源光纤磁光特性的影响

针对标准单模石英光纤磁光特性弱的特点,利用改进化学气相沉积(modified chemical vapor deposition,MCVD)法结合原子层沉积(atomic layer deposition,ALD)技术制备了 Bi/Er/La共掺有源光纤,并且用伽马射线辐照对该光纤进一步处理;搭建了光纤的费尔德常数测试...     

辐照对Bi/Er/La共掺有源光纤磁光特性的影响

针对标准单模石英光纤磁光特性弱的特点,利用改进化学气相沉积（modifiedchemical vapor deposition,MCVD）法结合原子层沉积（atomic layer deposition,ALD）技术制备了Bi/Er/La共掺有源光纤,并且用伽马射线辐照对该光纤进一步处理;搭建了光纤的费尔德常数测试系统,研究辐照前后Bi/Er/La共掺有源光纤的磁光特性。实验结果表明：在波长为1 310 nm处,Bi/Er/La共掺有源光纤的费尔德常数（1.02 rad/（T · m））比单模光纤（0.76 rad/（T · m））高约36.2%。经伽马射线辐照后,Bi/Er/La共掺有源光纤的费尔德常数随着辐照剂量的增加而增大,经3.0 kGy剂量处理后,其费尔德常数增加了54.90%,而单模光纤的费尔德常数仅增加了26.3%,且在1.0 kGy辐照处理已达到饱和。