物理气相传输(PVT)法生长碳化硅的晶体形态热应力分析

利用有限元方法对物理气相传输(PVT)法生长碳化硅晶体过程中出现的3种典型生长形态进行了热应力分析.结果表明:在3种晶体生长形态中,热应力最大值都出现在晶体与石墨坩埚盖接触区域;平面型生长形态中温度场及相应的热应变场和等效应力场分布均比较均匀;凸面型和凹面型生长形态的温度场及相应的热应变场和等效应力场分布均变化较大,而且在凸面型的中间区域和凹面型的边缘区域也存在较大的应力值.因此,为提高晶体质量,提出在石墨坩埚盖上沉积或反应生成碳化硅过渡层来减小热应力的改良方法,同时调整碳化硅晶体生长系统,尽量保证碳化硅晶体的平面型生长形态.     

ZnO对LMAS系微晶玻璃微波介电性能的影响

采用微扰法,研究了不同质量分数的ZnO以及不同的热处理制度对SiO2-Al2O3-MgO-La2O3微晶玻璃系统微波介电性能的影响。结果表明,ZnO能有效地改善SiO2-Al2O3-MgO-La2O3系微晶玻璃的微波介电性能。当ZnO质量分数为8%,在850℃下保温处理72 h,得到的样品最佳参数为:εr=14.053,Q=1 338.821,τf=85×10-6/℃。