首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   7篇
  免费   0篇
  国内免费   1篇
综合类   8篇
  2020年   1篇
  2019年   3篇
  2013年   1篇
  2010年   1篇
  1999年   1篇
  1995年   1篇
排序方式: 共有8条查询结果,搜索用时 15 毫秒
1
1.
新民事诉讼法122条虽然规定了法院附设诉前调解,但该规定过于抽象,仅规定对于当事人起诉到法院的民事案件,适宜调解的,先行调解,而具体怎么调解,运用什么程序均未提及。在司法实践中,特别是在多元化纠纷解决机制的背景下,各地法院靠自行摸索虽然取得了较好的实践效果,但一系列的理论和实践问题并未解决。因此,在梳理经验材料的基础上,探求实践难题的解决之道,并揭示隐藏于其背后的深层理论则是本文的旨趣所在。  相似文献   
2.
在二维函数光子晶体研究的基础上,进一步研究二维常规光子晶体波导中加入点缺陷介质柱时,二维光子晶体波导的带隙结构与电场分布情况.其中点缺陷介质柱介电常数是空间坐标的函数,其函数形式为εr=kr+b,参数k和b的变化可以通过光学Kerr效应或电光效应来实现.结果表明,通过改变点缺陷介质柱介电常数的参数k和b以及点缺陷半径ra,可以调节光的传播方向和光场分布,从而可以控制光在波导中传播方向.因此当含点缺陷时,二维常规光子晶体波导的光场分布和光的传播方向具有可调性.这些理论为光学器件的设计提供有价值的新的设计思路.  相似文献   
3.
4.
在二维函数光子晶体研究的基础上,进一步研究波导中加入两排函数线缺陷时,通过调节函数线缺陷的介质柱介电常数参数值,可实现波导带隙结构的调制情况.本文选取线缺陷介质柱介电常数函数形式为εr(r)=kr+b,其中,k为函数系数,b为参数.上述参量的变化,可由电光效应实现,即通过调节外加电场强度和电场分布来实现.当改变函数线缺陷介质柱介电常数参数k和b的值时,波导的带隙位置、带隙数目以及电场分布都会发生改变.因此,在波导中加入两排函数线缺陷就可实现带隙结构的调制,得到所需要的带隙结构和电场分布.这些结论可以为光学器件的设计提供理论基础和新的设计思路.  相似文献   
5.
本利用斯涅耳定理,采用计算机模拟的方式给出光在折射率层状梯度分布的介质中的传播路径。  相似文献   
6.
HDC高防护等级操作箱,其结构强度好,防护等级达到了IP54。该箱可室内或室外安装,适用于防尘、防溅水的场所,作为低压配电、动力控制之用。  相似文献   
7.
8.
用COMSOL Multiphysics仿真软件研究含点缺陷二维函数光子晶体的带隙结构、 缺陷模式及缺陷模式的本征场分布. 介质柱介电常数的线性函数形式: ε(r)=k·r+b, 由电光效应和Kerr效应, 通过对介质柱施加外电场和光场改变其折射率.  计算结果表明, 改变点缺陷介质柱介电常数的参数和点缺陷个数, 均可调节二维函数光子晶体的带隙结构和位置, 以及缺陷模式及缺陷模式的本征场分布.  相似文献   
1
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号