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张亚苏 《中国新技术新产品精选》2010,(7):140-140
IGBT不仅具有电压控制输入特性、低阻通态输出特性，还具有高输入阻抗、电压驱动、无二次击穿和安全工作区宽等优点，可以在众多领域替代GTR和功率MOSFET等器件。同时，由于它的结构特性，决定了它具有高速开关的能力，可以满足PWM技术的要求。 相似文献
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当前电子技术正朝着高频、高速、高灵敏度、高可靠性、多功能、小型化的方向发展,导致了现代电子设备产生和接受电磁干扰的机率大大增加,所以EMI已成为许多电子设备与系统能否在应用现场正常可靠运行的主要障碍之一。 相似文献
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