适用于低电源电压的快速预充Flash灵敏放大器

提出一种新型快速预充Flash灵敏放大器, 能够实现在低电源电压下的快速工作。采用反相器反馈控制的预充电路模块, 使得预充速度得以提升。还提出新型快速预充Flash灵敏放大器的改进型, 进一步使用反相器构成参考电压发生电路, 取消电流源模块, 从而降低功耗。新型电路在速度和功耗上有较大改善, 65 nm CMOS工艺条件下仿真结果表明, 相比传统结构,新结构预充速度提高15%, 功耗降低14%。     

一种可以表征铁电晶体管存储性能退化的宏模型

从铁电晶体管的动态翻转和双阈值转移特性出发, 建立了一种基于施密特触发器的FEFET(铁电场效应晶体管)行为级宏模型。该宏模型可以表征FEFET的转移特性, 并且模型参数较少便于调节; 模型结构简单、规模较小, 可用于HSPICE 电路模拟。模拟结果与FEFET实验结果比较, 显示该模型能够很好地反映铁电材料的疲劳等因素引起的FEFET的存储性能退化, 为FEDRAM(铁电动态随机存储器)设计和优化提供了一个良好的模型基础。