资源拼凑视角下共享经济企业的商业模式创新研究

大数据、云计算等互联网技术的进步推动了我国共享经济的发展,近年来诞生了许多新创的共享经济企业,但很多共享经济企业经营过程中的商业模式存在诸多问题。将资源拼凑理念带入共享经济企业的商业模式创新中,剖析共享经济企业商业模式创新的资源拼凑路径,提出利用资源拼凑来创新共享经济企业商业模式的实施策略,以期为共享经济企业的实践发展提供理论指导。     

还原氧化石墨烯中钾离子的电化学嵌入/脱出性能研究

采用修正Hammers法成功合成了氧化石墨烯,并且通过热还原的方法成功制备了还原氧化石墨烯.采用SEM和AFM方法表征了该方法合成的氧化石墨烯的形貌以及厚度,发现该氧化石墨烯为厚度约为1 nm、大小为几十微米的不规则片状结构.采用X射线光电子能谱对氧化石墨烯及还原氧化石墨烯进行了C1s和O1s谱线分析,证实该热还原方法还原效果明显.采用电化学方法研究了在还原氧化石墨烯中钾离子的嵌入/脱出行为,发现当电流为100 m A/g时,还原氧化石墨烯的嵌钾容量为120 m Ah/g.     

五硼酸铵对622型镍钴锰酸锂电化学性能的影响

为了实现电极材料的氮和硼共掺杂改性,采用五硼酸铵对622型镍钴锰酸锂(NCM622)进行改性.电化学测试结果表明,不同含量(0.5wt.%、2wt.%)的五硼酸铵改性后的NCM622电化学性能下降,其中0.1C下首次放电容量从173.7mAh/g分别降到了65.6mAh/g和42.4mAh/g,而不同倍率下循环50次后的放电容量从154.5mAh/g分别降低到了122.3mAh/g和50.2mAh/g,同时,采用多种表征手段对五硼酸铵改性材料样品进行了分析.相关结论对利用五硼酸铵改性其他材料具有参考意义.     

关于小学写字教学的研究

汉字是中国传统文化的重要载体,是人文素养培养的一种重要表现。小学生写字教育常常没有得到大家的关注,这导致很多问题的出现。比如：容易写错别字、乱用字词等。针对这些问题,教师应加强小学生写字教育,引导学生爱写字、会写字、勤写字,积极发挥学生在写字中的道德修养和思维训练等作用,让小学生养成写字的习惯。     

裂项的思想在高等数学中的应用

裂项法,是指将分式(或整数式)拆开,分解成几个分式(或整数式)的和或者差的形式,常用于解决数列求和的问题,将这种裂项的思想应用于高等数学中,与其他方法相结合,可以很好的求解一些函数的极限、不定积分、拉普拉斯逆变换中的化简问题。     

阳极电解制备n型多孔硅及光反射特性的影响研究

采用双槽电化学阳极蚀刻法制备了n型多孔硅,并用带积分球的光度分光计测试了多孔硅的光反射率.研究了蚀刻电流密度、蚀刻时间和HF浓度等对多孔硅孔隙率和反射率的影响规律.结果表明:随着电流密度和蚀刻时间的增加,多孔硅表观孔隙率增加;多孔层的存在能显著降低反射率,且较小的电流密度和蚀刻时间,更有利于反射率降低;电流密度10 m A·cm-2制备的多孔硅平均反射率降低到9%,蚀刻时间10 min下制备的多孔硅平均反射率降至5%;HF浓度对反射率的影响不大.     

《广韵》训释勘误两则

对《广韵》＂萎口＂、＂梃＂的注释进行考证并作新的训释。     

上流式曝气生物滤池脱氮性能研究

文章对单级上流式曝气生物滤池的脱氮性能进行了初步研究。研究结果表明,在进水有机负荷为4～12kgCOD/(m3·d)、水力负荷1～4m3/(m2·h)及气水比1∶1～5∶1的工艺条件下,COD和NH3-N的去除率达到70%～86%和53%～79%。在水力负荷较低时,控制气水比可以实现同步硝化反硝化。     

聚3,4-乙撑二氧噻吩(PEDOT)在锂氧电池中的电催化性能

采用化学聚合法合成了PEDOT粉体.将PEDOT/乙炔黑/PTFE和乙炔黑/PTFE分别按质量比4.5/4.5/1和9/1进行混合,调浆后均匀涂覆在镍网上,作为锂氧电池空气电极.用FTIR对复合物的结构进行分析.用四探针法、循环伏安法、恒流充放电法和电化学阻抗法研究了乙炔黑和PEDOT/乙炔黑两种材料的导电性及电化学性能.测试结果表明,乙炔黑/PTFE(9/1)和PEDOT/乙炔黑/PTFE(4.5/4.5/1)的还原电位分别为2.20和2.57 V;乙炔黑/PTFE(9/1)的首次放电比容量为2812 mA h/g,而PEDOT/乙炔黑/PTFE(4.5/4.5/1)的比容量则达到了4056 mA h/g;添加PEDOT使乙炔黑模拟电池的电荷转移阻抗降低了~76.8%,表明PEDOT能够使锂离子在脱/嵌过程中的极化变小.以上结果说明PEDOT能够有效提高乙炔黑的电催化性能.     

铝箔电化学侵蚀隧道孔生长速度研究

在提出铝箔电化学脉冲侵蚀模型的基础上,进一步探讨铝箔电蚀隧道孔生长速度影响因素,推导出铝箔电蚀隧道孔生长速度公式：u=0.4 iave（μm.s^-1）（iave：单个脉冲侵蚀过程中隧道孔顶端面平均电流密度A.cm^-2）.