XeF2对SiO2/Si的干法刻蚀

XeF2是一种可以在常温下与硅发生反应的气体,可用作对硅进行干法刻蚀的工作气体,其对硅刻蚀特性呈现各向同性.研制了一个使用脉冲法对二氧化硅/硅体系进行XeF2刻蚀的系统,刻蚀系统简单且操作容易.利用该系统成功地刻蚀出"蘑菇状"的SiO2/Si结构,得到的刻蚀选择比大于1000.     

不锈钢管道溅射镀TiN薄膜实验研究

在不锈钢管道溅射镀膜装置上,通过对不锈钢管道真空室进行溅射镀TiN膜的反复多次实验及对镀膜实验结果的分析,得到了一整套适用于加速器管道真空室内壁溅射镀TiN膜的表面处理参数.实验结果表明,在压强为80～90 Pa、基体温度为160～180 ℃的镀膜参数下,不锈钢管道内壁能获得符合加速器物理要求的TiN薄膜.     

合肥光源储存环四六极磁铁组合支撑设计及样机振动测试

目前正在进行的合肥同步辐射光源的改造项目,对电子储存环内束流的稳定性提出了更高的要求.储存环地基的固有振动会导致支撑机构和四六极磁铁的振动,影响磁场位形,从而降低束流稳定性和束流寿命.针对上述问题,设计了新的四六极磁铁组合支撑机构,测试了储存环地基、现有支撑以及新组合支撑样机的振动情况,分析地基振动的影响因素、变化情况、能量分布等,计算并对比现有支撑和新组合支撑样机对地基振动的放大情况.结果表明,新组合支撑样机的抗振性能明显优于现有支撑,有利于提高束流稳定性,满足储存环物理设计要求.     

不锈钢管道溅射镀TiN薄膜实验研究

在不锈钢管道溅射镀膜装置上，通过对不锈钢管道真空室进行溅射镀TiN膜的反复多次实验及对镀膜实验结果的分析，得到了一整套适用于加速器管道真空室内壁溅射镀TiN膜的表面处理参数．实验结果表明，在压强为80～90Pa、基体温度为160～180℃的镀膜参数下，不锈钢管道内壁能获得符合加速器物理要求的TiN薄膜．