一类依赖于比率的Holling-Tanner捕食模型的定性分析

考虑了依赖于比率的响应函数的Holling-Tanner捕食模型,给出了解的耗散性和持续性,并给出了正平衡解(u*,v*)的全局稳定性,然后利用带ε的Young不等式和Poincaré不等式对扩散项进行了讨论,给出了在扩散系数足够大的情况下非常数正解的不存在性.     

HNO3处理多孔硅高效发光的研究

在实验室条件下对P型单晶硅片进行阳极电化学腐蚀制成多孔硅(Porous Silicon)样片,同时用适当配比的HNO3对多孔硅进行处理.比较了HNO3作用前后样片的光致发光(PL)谱,结果发现用HNO3处理的多孔硅的发光效率有显著提高.用XPS和SEM对样片测试的结果表明酸处理后样片表面形成Si-O结构,其表面平均孔径增大,而且分布更均匀.     

数字式明渠污水流量计数据采集处理系统研究

针对国家污水流量计量技术发展不完善的现状,开发了一套依据检索式数字水位传感器的数字采样原理,采用低功耗智能芯片控制的新型数字式明渠污水流量计的数据采集处理系统.系统依据巴歇尔槽流量计量原理,与巴歇尔槽结合使用,解决了模拟式明渠污水流量计数据采集系统中存在的信号采集易受水质及水中泡沫影响、抗干扰性能差、准确度低、系统功耗大等问题.     

半导体芯片紫外荧光无损检测

Fe、Na、Ni等金属杂质对半导体器件芯片有严重的负面影响，往往导致器件失效，成品率下降，必须进行有效控制处理．采用紫外荧光(UVF)法可有效检测出硅晶片及半导体器件芯片(如GaP、GaAs等)的金属杂质沾污情况，还能检测金属杂质的相对沾污量，对半导体器件芯片的生产可实现实时非破坏性的检测分析．     

HNO3处理多孔硅高效发光的研究

在实验室条件下对P型单晶硅片进行阳极电化学腐蚀制成多孔硅（Porous Silicon）样片。同时用适当配比的HNO3对多孔硅进行处理。比较了HNO3作用前后样片的光致发光（PL）谱,结果发现用HNO3处理的多孔硅的发光效率有显著提高。用XPS和SEM对样片测试的结果表明：酸处理后样片表面形成Si-O结构,其表面平均孔径增大,而且分布更均匀。     

钕-肉桂酸-邻菲罗啉三元配合物与DNA体系荧光光谱研究及其应用

研究了DNA对钕-肉桂酸-邻菲罗啉三元配合物的荧光敏化作用,并在此基础上建立了荧光法测定DNA的新方法.pH=8.0的Tris缓冲液中,DNA在0.23～5.68 μg/mL浓度范围内,稀土配合物-DNA体系的荧光强度值(F)与DNA浓度(CDNA)具有良好的线性关系,线性回归方程F=22.40CDNA+83.88,相关系数r=0.997,检出限为0.07 μg/mL,加标回收率为92.6%～103.2%,RSD＝1.85%～3.42%.结果表明,由于DNA的加入,使体系荧光强度增强,且加入DNA浓度和体系荧光强度间存在线性关系,表明配合物和DNA间存在插入作用.     

20CrNi2MoV钢连续冷却过程中的相变行为

利用热力模拟试验机研究了20CrNi2MoV钢在变形和未变形条件下的连续冷却相变行为及微观组织演变规律,绘制了该实验钢静态和动态连续冷却转变(CCT)曲线,分析了合金元素、冷却速度和变形条件等对其连续冷却相变行为的影响。结果表明:20CrNi2MoV钢中Cr、Ni、Mo等合金元素使得过冷奥氏体稳定性增强,贝氏体相变可以在较宽的中温转变温度区间发生;随着冷却速度的增加,20CrNi2MoV钢的铁素体相变温度下降,铁素体扩散型相变受到抑制,贝氏体中温区相变得到加强;变形使得20CrNi2MoV钢CCT曲线的铁素体和珠光体转变线明显左移,并且由于变形作用,贝氏体相变温度提高。     

Clifford分析中调和函数推广的Liouville定理

主要研究取值于泛Clifford代数C(Vn,n)上的调和函数的推广的Liouville定理,利用一些引理和正则函数的推广的Liouville定理,证明并得到了高维空间中调和函数的推广的Liouville定理.