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1.
6H-SiC辐照条件下缺陷形成过程的分子动力学模拟
周群颂
何红宇
蒋尚廷
李晔
吴沁懋
陈志勇
朱卫华
王新林
《南华大学学报(自然科学版)》
2021,(5):63-67
辐照环境会使材料出现位移损伤,在材料内部产生缺陷。为了研究6H-SiC晶体材料在受到辐照时缺陷的形成过程,基于分子动力学方法,采用LAMMPS软件模拟了6H-SiC材料在不同辐照能量、不同温度时辐照缺陷的形成过程,也进一步探究了材料屈服强度受辐照的影响。结果表明,缺陷数目随辐照能量增大而增多,且呈线性关系,温度对缺陷数目的影响无明显规律,屈服强度随辐照能量增大而减小,并且受到拉伸方向的影响。
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