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1.
分析了用分子束外延法生长在GaAs(100)衬底上的Zn1-xCdxSe/ZnSe应变层超晶格光学特性,对光致发光谱的温度地详细的研究,光致发光谱的峰位和线形温度效应的结果与理论分析相一致,从光致发光谱的发光强度得出了该样品的激活能 相似文献
2.
3.
多孔硅光致发光热稳定性研究 总被引:1,自引:0,他引:1
运用微拉曼谱仪以不同功率的激光入射到用阳极脉冲腐蚀制备的多孔硅样品研究多孔硅的热稳定性.用斯托克斯与反斯托克斯散射强度的比率确定样品的温度.观察比较不同温度下多孔硅样品的拉曼谱趋向,发现在激光功率与样品温度之间的关系曲线上分为3个过程,与拉曼频移和拉曼强度的曲线相一致.所有现象都可以用Si-O健和非晶Si被光氧化的机制解释. 相似文献
4.
报道了对多孔硅进行后处理的一种新方法,即真空中微波等离子体辅助的硫钝化处理,傅里叶变换红外谱表明,经处理的样品表面主要是被SiSx和SiOy所覆盖,与未经处理的样品相比,其发光强度增加约3.5倍,PL峰蓝移了40nm,而且在空气条件下存放60d后发光强度没有变化,表明这种方法是增加多孔硅发光强度和提高稳定性的有效方法之一。 相似文献
5.
6.
7.
8.
分析了工业生产造成环境污染的主要方式 ,在此基础上建立相应的污染控制成本模型 ;通过该数学模式研究了控制污染的非线性逼近理论求解方法 ,探讨了成本最优问题。最后给出了一个算例。 相似文献
9.
本文利用硼的中子活化和二次离子质谱分析,探明了硼在CH128合金扩散钎接过程中的分布,发现硼的扩散过程是一个多级反应过程。经高温长时扩散处理后,大量硼还是聚集在试片金属表层,难以向试片纵深扩散均匀。根据二次离子质谱对硼的逐点分析结果,得到了1000℃和 1130℃的扩散系数分别为0.89·10~(-7)cm~2/秒和7.12·10~(-7)cm~2/秒。 相似文献
10.
文中精确测定了水垢的物相,研究了水垢的微观形貌及结构与水垢的生面机制,提出了用物理方法防与除垢的方法。 相似文献