苯并[1,2-b:4,3-b’]二噻吩Bola两亲化合物的合成及性能研究

通过Pd催化的Sonogasira偶联反应为关键步骤合成了以苯并[1,2-b:4,3-b’]二噻吩为中心核的弓形Bola两亲性化合物.产物结构经1H NMR、13C NMR及元素分析的检测得到证实.化合物的紫外光谱证实弓形芳香核间的π-π堆积形式为J聚集结构,由循环伏安和紫外光谱计算的能隙范围推测该化合物可以作为有机半导体材料,荧光光谱推测它可以作为潜在的蓝光材料.同时,化合物较大的Stokes位移值表明该化合物在荧光标识材料方面有潜在的应用.此外,高斯计算模拟量化结果显示了该化合物有近乎理想的平面共轭结构,有利于制备高电子迁移率的光电器件.     

三嗪类盘状分子的合成与性能研究

设计合成了以三嗪核为中心,3条π-π共轭席夫碱为手臂及九条烷氧基链分布于周边的新型杂核盘状分子.采用偏光显微镜(POM)、差热分析(DSC)、MS(Materials studios)等方法对这类物质的液晶性能进行了研究.考察了周边烷氧基链的长度,手臂的共轭长度及手臂上所含连接基团的极性大小对这类化合物液晶性质的影响.结果表明:所合成的化合物能形成室温柱相液晶,增加周边烷氧基链的长度使液晶相变的范围扩大;去除极性较大的酯基连接基团及适当缩短手臂的共轭长度后使得化合物熔点大大降低;UV,PL,CV测试结果进一步证明了它们是一类潜在的电子传输半导体材料.     

V型苯乙炔Bola两亲化合物的合成及其液晶、光物理性质研究

以Pd 催化的Sonogasira偶联反应为关键步骤合成V型苯乙炔Bola两亲化合物,产物结构经1H NMR、13C NMR及元素分析得到证实.采用偏光显微镜(POM),DSC等手段对化合物的液晶行为进行了研究,研究结果表明,该化合物是柱相热致性液晶.化合物的紫外光谱证实组装模型中V型芳香核间的-堆积形式为Ｈ聚集结构,由紫外光谱换算后的h-(ah)2关系图推算的能隙范围推测该化合物可作为半导体材料,荧光光谱推断它们可以作为潜在的蓝光材料,化合物较大的Stokes位移值表明该化合物在激光材料及荧光光子的放射性计量仪等方面有潜在应用.此外,高斯计算模拟量化结果显示了该化合物近乎理想的平面共轭结构.     

三嗪类盘状分子的合成与性能研究

 \设计合成了以三嗪核为中心,3条π-π共轭席夫碱为手臂及九条烷氧基链分布于周边的新型杂核盘状分子.采用偏光显微镜(POM)、差热分析(DSC)、MS(Materials studios)等方法对这类物质的液晶性能进行了研究.考察了周边烷氧基链的长度,手臂的共轭长度及手臂上所含连接基团的极性大小对这类化合物液晶性质的影响.结果表明:所合成的化合物能形成室温柱相液晶,增加周边烷氧基链的长度使液晶相变的范围扩大;去除极性较大的酯基连接基团及适当缩短手臂的共轭长度后使得化合物熔点大大降低;UV,PL,CV测试结果进一步证明了它们是一类潜在的电子传输半导体材料.