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1.
本文讨论一种能随室内背景亮度变化而自动调节输出电压的稳压电源,将该电源用于各类发光二极管显示的场合时,可使发光管的亮度随室内亮度变化而同步变化。  相似文献   
2.
本文叙述了半导体压力传感器的基本原理及用半导体压力传感器做为力电转换元件试制成的 HBU—A 型多功能人体压力测试仪的原理。报导了用该仪器在临床应用中测得的实用数据。  相似文献   
3.
本文提出一个用两类吸附中心描述硅各向异性腐蚀机理的唯象模型:认为硅片表面存在有自由键和可用键两种吸附中心,这两种吸附中心对反应剂分子的吸附能力随腐蚀液浓度而变化。并由此得出一个腐蚀速率与KOH浓度、温度和晶向有关的经验表达式。在我们讨论的5%相似文献   
4.
本文讨论(100)和(110)硅在各向异性腐蚀中与掺硼浓度的关系。实验测得了硼浓度为3±0.5×10~(19)Cm~(-3)时腐蚀速率与KOH浓度和腐蚀温度的关系曲线。根据硅表面存在有自由键和可用键两种吸附中心的模型对实验结果进行分析,指出吸附能力下降和表观激活能的增大是造成掺硼硅腐蚀速率下降的主要原因。并认为表观激活能的增加与掺硼后自由键密度的减小和硅—硼键的结合能大于硅—硅键结合能有关。  相似文献   
5.
<正> 电子系“三维微结构器件”课题组在进行硅的各向异性腐蚀研究中,试验成功一种新的各向异性腐蚀液——乙醇胺—水溶液。由于乙醇胺无毒、不易挥发、化学性质稳定。所以新腐蚀波与目前国内外所采用的三种各向异性腐蚀液相比,具有无毒,无碱金属离子沾污,操作简便等优点。实验测得了三种低指数硅面腐蚀速率随乙醇胺浓度和随腐蚀温度变化的曲线。  相似文献   
6.
本文综述制作三维硅半导体器件的各向异性腐蚀技术。描述(100)和(110)硅面上的V形槽和U形槽结构。评价了业已报导的几种各向异性腐蚀液。并对实现各向异性腐蚀的物理因素进行了分析。最后指出了尚待解决的若干问题。  相似文献   
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