发酵条件对内生真菌SB023抑茵活性的影响

以栽培黄芩(Scutellaria baicalensis Georgi)内牛真菌菌株SB023为试验菌株,以大肠杆菌(Escherichia coli).枯草芽孢杆菌(Bacillus subtilis),深红酵母(Rhodotorula rubra)为指示菌.研究了不同发酵条件对菌株SB023抑菌活性的影响.结果表明,抑菌活性最佳的碳源为葡萄糖,氮源为胰蛋白胨,需氧量为120 r/m转速条件下,装液量70mL/250mL.起始pH8.0,温度24℃,发酵培养8 d时,抑菌效果最好.     

“1111”型稀磁半导体的研究进展

我们成功地制备了载流子和自旋分离的"1111"型块材稀磁半导体(La,AE)(Zn,TM)AsO(AE=Ba,Sr;TM=Mn,Fe)居里温度TC可以达到40K.我们研究了载流子和局域磁矩对铁磁有序的调制作用,在(La1-xSrx)(Zn0.9Mn0.1)AsO(x=0.10,0.20,0.30)中,控制Mn的浓度为10%,改变Sr的掺杂浓度,当Sr的掺杂量为10%时,我们可以观测到～30 K的铁磁转变温度;而当Sr的掺杂量达到30%时,铁磁转变温度和有效磁矩都大幅度地降低.我们运用缪子自旋共振和中子散射等微观测量手段研究了该系列材料的自旋动力学,缪子自旋共振的测量表明铁磁有序转变发生在整个样品内,即样品是块材稀磁半导体;缪子自旋共振测量得到的"1111"型稀磁半导体静态局域场振幅as与居里温度TC的关系和(Ga,Mn)As,"111"型Li(Zn,Mn)As,以及"122"型(Ba,K)(Zn,Mn)2As2一致,表明这些体系拥有相同的磁性起源机制.我们对该系列稀磁半导体的研究有利于进一步揭示包括(Ga,Mn)As在内的稀磁半导体的磁性起源机制.     

发酵条件对内生真菌SBO23抑菌活性的影响

以栽培黄芩（Scutellaria baicalensisGeorgi）内生真菌菌株SBO23为试验菌株，以大肠杆菌（Escherichia coli），枯草芽孢杆菌（Bacillus subtilis），深红酵母（Rhodotorula rubra）为指示菌，研究了不同发酵条件对菌株SBO23抑菌活性的影响.结果表明，抑菌活性最佳的碳源为葡萄糖，氮源为胰蛋白胨，需氧量为120 r/m转速条件下，装液量70 mL/250mL，起始pH8.0，温度24℃，发酵培养8 d时，抑菌效果最好.