多孔硅湿敏特性研究

应用阳极氧化技术在单晶硅片上生长一层多孔硅（ＰＳ）薄膜，用真空镀膜方法分别在其上下两面蒸发一层适当厚度的金属铝作为电极，设计了两种电极图形，制成二端结构的敏感元件．在不同湿度环境下，测出其电容值，得到了多孔硅ＲＨ－Ｃ湿敏特性曲线．通过不同材料、不同工艺条件的试验研究发现：多孔硅湿敏元件的湿敏特性、响应时间与其孔隙率、膜厚等参数有关．从而，确定了适合于敏感应用的材料导电类型、电导率、工艺条件和元件结构     

电子镇流器的可靠性设计

讨论了电子镇流器可靠性设计的有关原理和方法，并从电路网络的固有可靠性设计、降额设计、电磁兼容设计与耐环境设计等方面论述了ＨＵＳＴ－ＹＺ４０ＥＢ型电子镇流器可靠性设计与制造的技术方案．     

用微处理机逐点处理法快速测定τ_g的分布和S_g的变化

本文利用线性电压扫描法,对MOS电容的c-t曲线进行逐点处理,得到了τ_g-t、s_g-t下的曲线.由τ_g-t的曲线可以方便地找出τ_g-x的分布.这种方法不仅能将s_g与τ_g分离出来,而且能一次测得τ_g随深度x的变化而变化的关系,以及s_g随表面势变化而变化的讯息.     

电子镇流器的失效模型研究

阐述了新近研制成功的ＨＵＳＴ－ＹＺ４０ＥＢ型电子镇流器电路设计，用无冗余单机随机服务系统描述了电子镇流器电路网络的工作状态．在此基础上，对电子镇流器的有效度进行了计算及分析，并首次给出了电子镇流器的一般失效模式，探讨了独立式电子镇流器的马尔可夫失效模型     

PZT／Si异质结的电特性研究

采用Ｓｏｌ／Ｇｅｌ工艺制备ＰＺＴ／Ｓｉ结构，从该结构的极化特性、开关特性和Ｉ－Ｖ特性等方面研究了硅衬底上铁电薄膜的自偏压异质结特性．并以这种效应分析了ＦＲＡＭ电容中铁电薄膜的疲劳机制．     

MINP和PESC高效率硅太阳电池的分析

本文根据研制成的两种新型高效率硅太阳电池——MINP和PESC电池,重点分析其特点及取得较高光电转换效率之机理。     

PESC电池扩散工艺的改进及分析

由于硅单晶质量的提高及背表面场和减反射膜技术的应用,电池的短路电流已接近理论极限值,因此其性能的改进就取决于发射区的优化.本文论述了一种改进的扩散工艺——二次扩散工艺.其主要特点是提高氧化温度,利用氧化过程的高温改善发射区杂质分布,从而减少“死层”的影响.文中分析并计算了二次扩散(氧化)后的杂质分布和结深的变化,并讨论了二次扩散对发射区少于复合的影响及工艺条件对发射区各参数的影响.     

镓砷磷红色发光二极管中的电子陷阱

本文用深能级瞬态谱(DLTS)技术研究镓砷磷发光二极管(GaAs_(0.8)P_(0.4)-LED)中的电子陷阱.温度扫描从77K至300K.结果表明,用“磷烷法”和“磷压法”两种VPE工艺制得的样品具有相同的两个电子陷阱,阱陷的浓度与两种工艺间呈现一定的规律.     

硅太阳电池材料的深能级瞬态谱检测

本文利用深能级瞬态谱(DLTS)技术,检测和分析了制作硅太阳电池的低阻硅材料。结果表明,即使是专门订制的低阻(CZ)硅材料,通常也存在一个或若干个深中心,它们对太阳电池效率有很大影响。本文认为,制作高效率太阳电池的硅材料,除常规要求外,还应对其深中心浓度有严格的要求,即DLTS谱中不出现明显的谱峰。     

M-PS-S结构的V-I特性及其优化

选用n-，p-和p+三种半导体硅材料作为衬底，通过电化学腐蚀方法分别形成PS薄膜；在PS／S膜上再淀积一层具有一定图形的铝金属膜并焊接引线，形成了M－PS－S二极管结构；在外加直流偏置电压下分别测量它们的V－I特性，得出了不同的V－I特性曲线；V-I特性都具有整流效应．根据对所得特性的理论分析．论述了材料、工艺和结构等因素对M－PS－S特性的影响．并提出了优化设计的方法，以改善M－PS－S结构的特性，实现其在发光、敏感等方面的应用。