多晶硅发射极超高速ECL移位寄存器的设计

报道了６００门和８００门两种ＥＣＬ超高速移位寄存器；介绍了多晶硅发射极双极晶体管的结构和有关先进工艺，包括深槽隔离、多晶硅发射极、钴硅化物接触和浅结薄基区等；使用这种多晶硅发射极晶体管，３μｍ特征尺寸设计的１９级环形振荡器的平均门延迟小于５０ｐｓ。给出了６００门移位寄存器的电路设计和版图设计，讨论了互连线和双层金属布线对６００门和８００门移位寄存器的最高工作频率的影响。     

适于MEMS加速度计读出电路带宽可调的低通滤波器

提出了一种适于MEMS电容加速度计读出电路带宽可调的低通滤波器,带宽调节范围为100～8000 kHz。信号频率低于500 Hz时选用开关电容低通滤波器,高于500 Hz的信号则由连续时间低通滤波器来处理。该低通滤波器采用1.2 μm的2P2M的N-阱CMOS工艺实现。设计中分析并解决了因时钟信号引起的制约开关性能的因素：优化的开关时序消除了电荷注入引起的非线性;时钟馈通敏感节点增加虚拟开关抵消了耦合电荷;高PSRR共源共栅折叠式差分输入结构,有效地抑制了来自电源的干扰,改善了电路的性能。     

一种高阶温度补偿的CMOS带隙参考源(英文)

介绍了一种基于CSMC0.5-μm2P3Mn-阱混合信号CMOS工艺的高阶温度补偿的带隙参考源。该CMOS带隙参考源利用了Buck电压转换单元和与温度无关的电流,提供了一种对基极-发射极电压VBE的高阶温度补偿。它还采用共源共栅结构以提高电源抑制比。在5 V电源电压下,温度变化范围为-20 ～100℃时,该带隙参考源的温度系数为5.6 ppm/℃。当电源电压变化范围为4 ～6 V时,带隙参考源输出电压的变化为0.4 mV。     

用于微传感器读出电路的输出缓冲放大器

设计了一种主要用于微传感器读出电路的输出缓冲放大器。该电路被设计为恒定跨导、Rail-to-Rail的结构,同时还具有输出共模范围大(0～5V)、输出电阻小、电路结构紧凑、非线性失真小等优点。仿真及流片测试证明了以上特点。     

fT为13.5?GHz的平面结构SiGe异质结双极晶体管的研制

利用多晶硅发射极技术与分子束外延生长SiGe基区技术相结合,研制成适于集成的平面结构、发射结面积为3?μm×8?μm的SiGe异质结双极晶体管(HBT)。室温下该晶体管的直流电流增益β为30到50,基极开路下,收集极-发射极反向击穿电压BVCEO为5?V,晶体管的截止频率fT为13.5?GHz。     

吉位规模DRAM的发展和挑战

本文从工艺技术，单元结构，单元阵列及电路设计方面讨论了吉位规模ＤＲＡＭ的发展和面临的挑战；并展望了嵌入式ＤＲＡＭ的发展。     

一种高阶温度补偿的CMOS带隙参考源

介绍了一种基于CSMC 0.5-μm 2P3M n-阱混合信号CMOS工艺的高阶温度补偿的带隙参考源。该CMOS带隙参考源利用了Buck电压转换单元和与温度无关的电流,提供了一种对基极-发射极电压V_BE的高阶温度补偿。它还采用共源共栅结构以提高电源抑制比。在5V电源电压下,温度变化范围为-20～100℃时,该带隙参考源的温度系数为5.6ppm/℃。当电源电压变化范围为4～6V时,带隙参考源输出电压的变化为0.4mV。