关于宏代换函数的分析

举例说明宏代换函数的格式要求及其功能,对宏代换函数在各种应用情况下所出现的结果加以详细的阐述     

立方氮化硼横向电光调制半波电压的测量

宽禁带半导体材料立方氮化硼(cBN)具有闪锌矿结构和43m点群对称性,因此cBN晶体也是电光晶体。用cBN晶体进行了横向电光调制,首次观察到cBN的电光效应,并且测得了样品的半波电压．     

立方氮化硼晶体的电学性质与电流控制微分负阻

研究了非故意掺杂的n型cBN晶体的电学性质．所研究的cBN晶体是由六角氮化硼在高温高压下以镁粉为催化剂转化而来．在室温下，测量了cBN晶体的伏安特性，为非线性伏安特性．当电场强度在10^5～1.5×10^5V／cm范围内时，cBN晶体发生电击穿．同时，cBN晶体发出波长为380～400nm的蓝紫光．继续测量cBN晶体伏安特性，发现cBN晶体出现电流控制型微分负阻．这些实验现象是可以重复的．     

一种新的电光系数的测量方法研究

确定电光晶体的电光系数通常的方法是把电光晶体加工成规则的长方体进行测量.本文主要介绍如何对不规则形状立方氮化硼(cBN)晶体的电光系数的测量方法.cBN晶体是一种人工合成晶体,宏观点群对称性属于Td群,能够产生线性电光效应.但是合成的cBN晶体体积小,大约只有0.3mm×0.3mm×0.1mm,其硬度仅次于金刚石,不易将其加工成规则的长方体.根据cBN晶体的实际情况,进行理论推导,得到了适应于不规则形状的cBN晶体的线性电光系数的测量方法,并以此为指导,进行了实验测量,得到了cBN晶体的线性电光系数γ41=1.17×10-14m/V.     

微小尺寸立方氮化硼线性电光系数的测量

对实验合成的微小尺寸立方氮化硼(cBN)进行横向电光调制, 根据样品的实际情况, 建立了相应的理论和实验方法. 在实验中观测到cBN晶体的线性电光效应, 并且测得了样品的半波电压, 由此进一步计算出立方氮化硼的线性电光系数, 其值为1.17×10^−14 m/V.