新型地板展示系统的开发

使用VBA二次开发AutoCAD2 0 0 0和ActiveXAutomation技术 ,开发了一种符合装饰材料展示特点和需要的新型地板展示系统     

含蒎烯基联吡啶的新型手性Mo(0)络合物的合成和表征

为了探讨含手性蒎烯基联吡啶的手性钼(0)络合物的结构对光谱(特别是CD光谱)性质的影响,合成了两个新型手性钼络合物( )CD452[Mo(CO)4(LRR)]和[Mo(CO)4(LSS)].用元素分析、IR、UV vis、CD、1HNMR和13CNMR等对其进行了充分表征.研究结果表明:两种络合物为一对具有几乎完全相同物理化学性质、配体互为对映体的光学异构体;两者在可见区的CD曲线呈现弱Cotton效应,且大致为镜象对称,说明在相应的手性络合物中,由于联吡啶上相反手性的蒎烯基通过中心金属钼对MLCT发色团产生了手性微扰作用,从而产生诱导CD效应.     

一种具有平顶陡边响应的长波长光探测器

在PIN型光探测器的基础上制备了一种适用于波分复用系统的具有平顶陡边响应的长波长光探测器。利用低压金属有机化学气相沉积(LP-MOCVD)设备在GaAs衬底上二次外延生长了具有台阶结构的GaAs/AlGaAs滤波腔和InP基PIN光探测器。高质量的GaAs/InP异质外延采用了低温缓冲层生长工艺;具有台阶结构的Fabry-Pérot(F-P)滤波腔采用了纳米量级台阶的制备方法。通过理论计算优化了实现平顶陡边光谱响应特性的器件结构;并通过实验成功制备出了具有平顶陡边响应性能的光探测器,器件的工作波长位于1 549nm,峰值量子效率大于25%,0.5dB光谱响应线宽为3.9nm,3dB光谱响应线宽为4.2nm,响应速率达到17GHz。     

新型光敏材料HA改性后的荧光光谱研究

为了对新型光敏剂竹红菌甲素(HA)进行改性并保持其优异的敏化特性,系统研究了HA在酸性体系下改性后的光谱特性,为指认HA的光谱和激发态电子跃迁的机制提供了新的依据.另外详细研究了HA在固相分子筛(弱酸体系)中的光谱,指定其在强激光脉冲激发下产生了双光子吸收,并指认长波荧光发射带为激发态质子转移荧光;结果表明只有在强光作...     

含单负材料的光子晶体的缺陷模和透射谱

用传榆矩阵法分析了由2类单负材料组成的含缺陷一维光子晶体的缺陷模及透射谱。结果表明：当缺陷为一层单负材料时。零有效相位带隙中出现2个缺陷模,且缺陷模的频率可通过缺陷层的厚度和2种单负材料的厚度比来调节。当缺陷为1组单负磁导率材料和单负介电材料组成的双缺陷时,通过选取合适的参数满足平均磁导率和平均介电常数都为零时,带隙中未出现缺陷模,而且带宽保持不变,带边电场也随着双缺陷厚度的增加而被强烈的局域。     

零偏压下近红外集成单波长波导光探测器

提出了一种基于InGaAsP材料的零偏压单片集成波导光探测器。该器件单片集成了光子晶体(Photonic Crystals, PC)滤波器、锥形耦合器、零偏压波导光探测器(Wave-Guide Photodetector, WGPD)以及直波导,形成了一个平面微纳光信号接收子系统。集成的波导光探测器吸收峰值波长位于1.55μm处,光谱线宽仅1.6 nm。设计的波导光探测器在无外加偏压时具有良好性能,经优化,当其面积为4μm×15μm时其3 dB带宽达78 GHz@0 V,响应度为0.78 A/W。整个器件基于组分可调的InGaAsP材料,实现多功能器件的单片集成,具有高性能、小体积、低功耗、窄线宽等特性。     

MOCVD反应器中流场和热场的数值研究

利用二维动力学模型, 通过变化MOCVD (metal organic chemical vapor deposition) 反应器的进气流量、操作压力、衬底温度、基座旋转等几个重要工艺控制参数, 计算了反应器内部均匀的流场和热场分布的形态变化, 描述了输运过程中产生的多种流动现象, 并给出了相应的分析与说明. 在此基础上, 通过微扰反应器的进气量, 计算并图形化了质量输运过程的瞬态行为, 分析了延迟时间、驰豫振荡、自脉动振荡等瞬态现象产生的原因, 为高品质外延生长工艺的设计与实施, 提供了有益的解决途径.