一种全数字延时触发器设计

传统的单稳延时电路需外接RC支路,故精度不高,稳定性差,预置不直观。与之相比,全数字化设计的触发器采用时钟计数与预设值较容易实现延时,准确性、稳定性大大提高。延时范围与时钟频率有关,亦随计数器位数增加而增加,最高分辨率由器件响应速度确定,定时精度与时钟步长有关。由于采用数字比较方法,可实现不同量程（μs~数10s）切换。该设计可用于要求较高的实验场合。     

线性GaAs光电导开关的饱和参数研究

通过计算几种主要散射机制对GaAs迁移率和电导率的影响, 给出了GaAs迁移率和电导率随载流子浓度的变化规律; 考虑常温、低偏置电场下费米能级对载流子浓度的约束, 给出了光激励下GaAs中的饱和载流子浓度; 结合微带实验测试电路方程、饱和载流子浓度计算结果、半导体迁移率和电导率随载流子浓度的变化规律, 以及半导体材料对激励光强的朗伯吸收规律, 给出了微带测试电路条件下的饱和光能和饱和电压等参数, 在实验误差范围内, 理论计算结果与实验测试结果较好吻合.     

4m+2次幻方的填法及证明

给出了偶次幻方的填法通则，并证明在该通则下可使n     

高功率、长寿命GaAs光电导开关

通过改进GaAs光导开关衬底材料研制工艺、机械结构设计、欧姆电极研制工艺、绝缘封装工艺和脉冲电源馈电方式,研制了3mm异面电极的GaAs光导开关.在56.12μJ光能激励、1kHz重频、15kV偏压、50?负载实验条件下,测得光导开关使用寿命超过3.6×106次,输出电脉冲峰值功率2MW、脉冲宽度2ns、触发抖动方均根值为65ps;最高工作电场达到100kV/cm,对应峰值功率达到10MW;实验还给出了光导开关电压转换效率、触发抖动随偏压升高的测试结果;考虑GaAs对1064nm光吸收系数随电场的变化,定量分析了光导开关电压转换效率随偏压变化的实验现象.     

基于理论结构框架的大学物理教学实践

理论知识不应该是零散的;学习不应像只能装知识的筐一样,缺乏对知识的消化和吸收。理论结构框架既可以将理论知识系统化,也能促进对理论知识的消化和吸收。文中从新的视角提出了理论的一个结构框架,即从运动学和动力学的视角对物理理论的结构框架做了探讨,分析了它在学习和科学研究中的意义,结合丰富的教学案例讨论了该理论结构框架在学习和科学研究中的应用。     

针织成圈运动动画的制作实践

利用计算机进行辅助教学是未来发展的必然趋势，而多媒体ＣＡＩ课件中动画制作难度最大。我们采用成熟软件进行二次开发的办法，结合本专业知识在分析针织成圈过程并掌握计算机制作动画原理及熟悉各种应用软件的前提下，制作出五大模块的针织成圈运动动画，并提供良好的交互界面。摸索出一套适合非计算机专业人员制作动画的方法，并应用于教学     

平面单元电磁导弹辐射器轴线坡印亭矢量的时间积分随距离衰减的研究

作者给出了平面圆形、方形单元辐射器轴线坡印亭矢量的时间积分随距离衰减的严格数字解的结果 ,讨论了影响辐射器轴线坡印亭矢量时间积分的相关因素 .     

GaAs非本征吸收

对光脉冲入射波长为1064nm时,GaAs光导开关上的直流电场为103V/cm观察到光电流的现象运用非本征吸收光电导理论进行了解释,讨论了恒定光强和高斯光强时,GaAs非本征吸收载流子浓度随时间的变化,并将高斯光强时的模拟结果同光导开关实验相比较,二者吻合很好     

阵列瞬态电磁脉冲传输特性研究

依据均匀圆盘电流模型辐射电磁脉冲的轴线能量解析解, 给出了单元天线轴线能量传输特性的物理实质, 在此基础上, 提出了时域天线辐射电磁脉冲的点源近似模型, 并依次解析分析了阵列天线辐射电磁脉冲波束的能量传输特性, 波束宽度等特征参数. 采用基于Blumlein形成线的光导开关和超宽带槽天线一体化的辐射单元设计方法, 研制了23×16单元的阵列瞬态电磁脉冲产生系统; 在2.5 km范围内, 验证了瞬态电磁脉冲可以确定脉冲波形在自由空间传播、并具有场分量的相长叠加与波束聚焦特性等原理性概念; 在误差范围内, 理论计算与实验测试结果一致.