基于变异系数的模糊物元模型评价阔叶十大功劳根不同提取部位的抗炎镇痛作用

为了筛选阔叶十大功劳根抗炎镇痛的有效部位，应用模糊物元模型对阔叶十大功劳根不同提取部位抗炎镇痛效果进行综合评价。采用醋酸扭体法、热水缩尾法及热板法，以小鼠足跖肿胀、耳廓肿胀程度考察阔叶十大功劳根不同提取部位的抗炎镇痛作用；用变异系数权重的模糊物元模型对其干预效果进行综合评价；通过计算贴近度比较模型组（M₁）、阳性对照组（M₂）、水提物组（M₃）、乙醇提取物组（M₄）、正丁醇提取物组（M₅）、乙酸乙酯提取物组（M₆）、石油醚提取物组（M₇）的抗炎镇痛效果。结果显示阔叶十大功劳根不同提取部位均有抗炎镇痛的效果，但各部位抗炎镇痛效果程度不同；反应不同部位抗炎镇痛总效应的贴近度值从大到小排序为M₆，M₄，M₃，M₅，M₂，M₇，M₁。基于变异系数权重的模糊物元模型可筛选出阔叶十大功劳根抗炎镇痛的最佳有效部位为乙酸乙酯提取部位，能够客观、科学地评价不同提取部位的抗炎镇痛效果。     

虚拟仪器在动态切削力测量上的应用

本文研究虚拟仪器技术引入动态切削测量的过程,从而反映切削力信号与刀县状态及各种切削参数之间的关系.     

关于工程项目成本管理的思考

随着建筑市场的竞争激烈,施工单位承包利润微乎其微,各企业都在向管理要效益,加强施工项目成本控制,挖掘降低成本的潜力,该文针对某施工单位项目部在某组团小高层建设过程中的成本控制,来探讨如何作好施工企业的项目成本管理.     

膜共混组成及膜厚对 CS/PVA-PAN渗透汽化膜分离性能的影响

考察了共混组成及膜厚对CS/PVA PAN膜渗透汽化性能的影响。结果发现,当膜中乙醇含量为40wt%以及膜厚为20μm时,膜的渗透汽化性能最好。     

壳聚糖复合膜渗透化法分离乙醇／水混合物

将壳聚糖 (CS)和聚乙烯醇 (PVA)混合物涂到聚丙烯腈 (PAN)中空纤维内表面 ,通过适当的交联制成壳聚糖复合膜。研究了乙醇水液体混合物在膜中的渗透汽化性能 ,讨论了料液浓度、温度对膜分离性能的影响。结果表明 ,CS PVA/PAV膜具有优异的渗透选择性能 ,当料液乙醇含量为 95wt%时 ,6 0℃和 70℃渗透通量为 310g/(m2 ·h)和 433g/(m2 ·h) ;分离因子为 116和 12 7,渗透通量与温度呈Arrhenius关系     

NCED3基因的持续诱导及ABA合成与代谢的协同调控在拟南芥ABA信号积累中的作用

ABA作为逆境信号在植物抗逆特别是抗旱中起着重要的作用. 由于ABA生物合成是ABA信号产生的根本基础, 因此ABA合成关键酶基因NCED3的启动一直被认为是操纵ABA信号产生的惟一机制. 本研究报道了ABA信号累积中ABA代谢和合成的协同操纵机制. 结果表明, 水分胁迫可导致拟南芥叶片中ABA水平急剧增加, 且在长期干旱胁迫情况下, ABA累积的最高水平始终处于一个相对稳定的状态. 无论是胁迫还是非胁迫状态下, ABA代谢都呈现指数递减规律, 且其代谢的半衰期没有太大的变化, 这意味着干旱条件下ABA的绝对代谢速率将随ABA水平上升而急剧加快, 由此可以推断ABA信号的产生是一个由多酶共同操纵的系统控制, 且NCED3的持续诱导是ABA信号稳定积累的前提. 进一步研究表明, 干旱可诱导一系列ABA合成酶的基因表达, 其中包括NCED3, AAO3和ABA3等. 伴随ABA的持续积累, NCED3, AAO3和ABA3的基因始终处于诱导表达状态. ABA代谢研究和基因表达分析结果相互印证, 共同揭示ABA信号的产生机制是一个由多酶共同参与, 且以ABA合成关键酶基因持续诱导为前提的操纵机制, 其中ABA代谢在ABA信号的操纵中起着重要的作用.     

多阶段金融投资决策情景生成问题及实证

提出基于上下限的二叉树情景生成法、基于矩匹配的二叉树情景生成法和基于聚类分析的二叉树情景生成法,提出改进的情景分层法.进一步以我国经济环境为依托,考虑未来的不确定性,对多阶段金融投资决策中的情景生成问题进行研究.将3种情景生成方法预测值同实际值进行比较,得出基于上下限的二叉树情景生成法更优的结论.     

Sobolev方程的经济型差分-流线扩散法

根据Sobolev方程的特点,采用了经济型差分-流线扩散法研究了其初边值问题,建立其EFDSD格式,分析了该方法的稳定性和收敛性,并得到了H1-模误差估计.     

Ti与Al比例及退火温度对AlGaN/GaN HEMT欧姆接触影响

利用热蒸发方法制备了Ti/Al金属双层结构的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)欧姆接触,Ti与Al比例分别为1∶2(20 nm/40 nm)、1∶5(20 nm/100 nm)和1∶8(20 nm/160 nm).采用相同退火时间、不同退火温度对不同的Ti与Al比的AlGaN/GaN HEMT结构进行退火.通过XRD对电极结构进行了分析,利用金相显微镜观察了电极的表面形貌.实验结果显示,相同退火时间条件下,退火温度在800℃, Ti与Al比为1∶5的AlGaN/GaN HEMT结构形成了较好的欧姆接触.