纳米SiC掺杂MgB2超导带材的制备及其性能研究

采用粉末装管法制备了SiC掺杂的MgB₂带材系列样品. 通过X射线衍射仪、扫描电子显微镜和超导量子干涉仪等仪器对样品进行了表征. 实验结果表明, SiC掺杂对于提高MgB₂带材的超导性能具有十分有效的作用. 掺杂量为5%时, 在4.2 K和10 T条件下, 掺杂样品的临界电流密度高达9024 A/cm², 是未掺杂样品的32倍多. 掺杂样品在高磁场下具有良好的临界电流性能主要归因于C对B的替代所产生的晶格畸变、位错等缺陷和局部成分变化而导致的有效晶内钉扎作用, 同时由于掺杂而提高的晶粒连接性也对临界电流密度的提高起到一定作用.     

电子束阴极用LaB_6单晶的制备及其应用

六硼化镧(LaB_6)具有良好的热稳定性和化学稳定性,以及非常低的功函数和蒸发率,是一种性能优异的电子束发射阴极材料.该文对目前国内外LaB_6单晶的制备方法以及应用现状进行了介绍,对比分析了LaB_6单晶的几种主要制备工艺的优缺点,并报道了作者近期在铝助熔剂法和区域熔炼法制备高质量LaB_6单晶方面的研究进展,最后对LaB_6单晶阴极的应用前景进行了展望.     

ZrC和ZrB2掺杂对PIT法制备MgB2带材的影响

采用ZrC和ZrB₂掺杂在常压条件下制备了MgB₂/Fe超导带材. 利用X射线衍射、扫描电子显微镜、电测和磁测等手段, 重点研究了ZrC 和ZrB₂掺杂对超导带材组织和性能的不同影响. 结果显示, ZrC掺杂导致带材临界电流密度的降低, 临界转变温度保持不变; ZrB₂掺杂则显著提高了带材高场下的临界电流密度, 而临界转变温度略微下降了0.5 K. 实验结果表明, 采用ZrB₂掺杂原位PIT技术可制备出具有高临界电流密度的MgB₂带材.     

综合物性测量系统在超导材料应变测量上的应用

综合物性测量系统（PPMS）提供材料应变测试中的低温和强磁场环境条件，加上应变计就可以实现超导材料在1．9--300K背景下可靠的应变测量，此方法简便．经济，实用。实验采用铜，铁等材料对应变测量系统进行了标定，并用此方法对Bi2223超导带材的应变特性进行了研究。     

原位粉末套管法制备实用化19芯Fe/Cu包套MgB2超导线

采用原位粉末套管法, 以工业级无定形B粉(92%)和镁粉(99%)为原料, 分别以初始配比为MgB₂和Mg_1.05B₂原料制备了外径ф1.9 mm Fe/Cu复合包套结构的19芯MgB₂超导线, 700℃热处理1 h后, 通过扫描电子显微镜、X射线衍射、超导量子干涉仪和标准四引线法对样品进行测试和表征. 实验结果表明, MgB₂相中仅含有少量MgO和Fe₂B杂相, Tc(onset)= 34.5 K, ΔT_c = 4.8 K, 而Mg过量5%后, T_c(onset)下降0.5 K和ΔT_c增宽0.4 K, 在4.2 K和4 T条件下, 临界电流密度值为1.07×10⁴ A·cm^-2, 提高1.4倍, 同时在高磁场下具有更好临界电流性能, 这归因于过量Mg有利于减小超导芯中微小空隙和裂纹从而提高超导连接性, 同时细小晶粒比例提高, 增大晶界面积导致钉扎能力提高.