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半导体技术发展限制及其逻辑发展趋势 总被引：4，自引：0，他引：4
许居衍 《世界科技研究与发展》1999,21(5):15-18
本文从半导体微电子技术的发展轨迹与限制讨论中,分析了微电子技术生命周期,并沿着上述脉路,指出了半导体技术将在尽力逼近其限中,不断增长高密度嵌入设计水平,不断扩展跨学科横向应用,并最终进入技术平台期,等待新的突破。 相似文献
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分析了Ｄｉｃｋｓｏｎ电压倍增器模型的局限性，提出了适用于Ｎ阱硅栅ＣＭＯＳ工艺的电压２部增器模型。用该模型研究了升压值与坟级数，升压时钟，长夺管尺寸等的关系。 相似文献
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国际半导体工业发展态势分析 总被引：1，自引：1，他引：0
国际半导体工业发展态势分析ＤｅｖｅｌｏｐｍｅｎｔａｌＴｅｎｄｅｎｃｙｏｆｔｈｅＷｏｒｌｄ’ｓＳｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒＩｎｄｕｓｔｒｙ￥许居衍（中国华晶电子集团公司，中国工程院院士无锡２１４０６１）郑茳（东吴大学──华晶无锡微电子应用研究所，教授无锡... 相似文献
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微电子学的发展前景ＰｒｏｓｐｅｃｔｓｆｏｒｔｈｅＤｅｖｅｌｏｐｍｅｎｔｏｆＭｉｃｒｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ￥／／许居衍（中国华晶电子集团公司，教授无锡２１４０６１）郑茳（东南大学无锡分校，教授无锡２１４０６１）一、硅技术发展逻辑一切技术的发展，都要受... 相似文献
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